2300 Versys Kiyo3x导体刻蚀系列产品CD一致性达到1nm（晶圆3σ水平）。这个第三代产品线包括对晶圆温度控制的改进，能够采用射线调节边缘控制和轮廓修正。该系统具有覆膜前和刻蚀后腔室清洗技术，以及在单一腔室内的多种膜刻蚀能力。 Lam Resear…

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　　PlasmalabμEtchEL是一套灵活的干法刻蚀工具，能够基于该公司的PlasmalabμEtch200 和PlasmalabμEtch300系统，在PE/RIE间进行双模切换。双模配置能够在单一的平台上，对小芯片或封装的器件甚至200mm晶圆，进行各向同性的聚酰亚胺去除、SiNx去除和各…

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据日经BP社报道，英国Surface Technology Systems plc（STS）宣布，美国飞思卡尔半导体（Freescale Semiconductor）已采用其硅深度离子蚀刻模块“Pegasus”。此次所订购的是支持组合型的200mm晶圆设备，是该公司累计的第100个Pegasus订单。 对于飞思卡尔，此次…

http://article.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2008-07/2008724030540.htm -- 2008-7-24 0:00:00

近日，应用材料公司扩充了Applied Producer® Etch系统的应用，开始为先进的Flash和DRAM存储器提供互联刻蚀。随着存储器制造中电介质刻蚀步骤的不断增加，刻蚀系统需要满足生产率和成本效益方面越来越高的要求。Producer Etch刻蚀系统的产量高于目…

http://article.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2008-07/2008718034512.htm -- 2008-7-18 0:00:00

Tegal Corporation , a leading designer and manufacturer of plasma etch and deposition systems used in the production of MEMS, integrated circuits, and nanotechnology devices, announced today that the Company received an order for a Tegal 901ACS plasma etch tool, and additional orders for Tegal 900 Series ACS (Advanced …

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晶圆工艺设备供应商Lam Research Corporation日前发布了2300 Versys Kiyo3x刻蚀设备，关键尺寸（CD）一致性达到1nm，为双重图样曝光过程所面临的CD及重叠（overlay）挑战提供了解决方案。另外，这套设备还配置有升级选项，灵活经济有效地对高k金属栅极…

http://article.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2008-06/2008626100308.htm -- 2008-6-26 0:00:00

匹兹堡大学的研究人员设计了一种方法，可以使用原子力显微镜（AFM）绘画，擦除和修改小于4 nm的导线和直径为2 nm的点，该方法与古老而又流行的素描刻蚀有几分相似。AFM所画的线位于厚度为1.2 nm的镧铝氧化物绝缘层上，该氧化层位于钛锶氧化物衬…

http://article.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2008-06/2008619064617.htm -- 2008-6-19 0:00:00

Tegal Corporation近日公布了截至3月31日的第四季以及2008财年报告。该公司是一家领先的等离子体刻蚀、淀积系统设计制造商，产品用于集成电路和纳米器件的制造。2008财年公司收入为3290万美元，较2007财年增长47.9％。毛利润率为42.6％，2007年毛利…

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　　由于引进极紫外线（EUV）光刻技术的迟滞，技术专家们开始利用现有光刻工具的替代性方案去完成32及22纳米工艺。例如，一个颇具前景的解决方案是将间距要求严苛的图形拆分到两个掩膜版，这样图形间距可以加倍。 　　两次曝光，即两层掩膜版在…

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AvizaTechnology称，中国大陆一家关键晶圆厂订购了OmegafxP刻蚀设备，该设备配备有两个ICP（感应耦合等离子）工艺模块。 该设备将用于功率器件的硅沟槽刻蚀及多晶硅的背部刻蚀工艺。 Aviza为此OmegafxP刻蚀设备订单的获得而自豪，Aviza公司PVDCVD…

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　　Plasma Accelerator干法刻蚀设备主要用于先进芯片的失效分析。它具有更高的刻蚀速度、高质量的复制率、直观的操作和低损伤，可以支持全范围的干法刻蚀失效分析流程。该工具可以去除钝化层和金属间/层间介电材料，可以保证获得清洁、平滑的刻蚀…

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　　随着硅珊MOS器件的出现，多晶硅渐渐成为先进器件材料的主力军。除了用作MOS栅极之外多晶硅还广泛应用于DRAM的深沟槽电容极扳填充，闪存工艺中的位线和字线。这些工艺的实现都离不开硅的干法刻蚀技术其中还包括浅槽隔离的单晶硅刻蚀和…

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　　双重图形需要更新更苛刻的刻蚀能力，要求低于1.5 nm CD均匀性、图形收缩和原位多层刻蚀。 　　多数双重图形（DP）或多步图形化方法正处在研发阶段，这些方法都需要额外的刻蚀工艺步骤。尽管不同类型的器件所采用的DP方案有着本质的区别，但…

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