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日前，Vishay Intertechnology, Inc.推出两款 20V 和两款 30V n 通道器件，从而扩展其第三代 TrenchFET® 功率 MOSFET 系列。这些器件首次采用 TurboFET™ 技术，利用新电荷平衡漏结构将栅极电荷降低多达 45%，从而大幅降低切换损耗及提高切换速度。 这次…
http://article.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2008-12/2008125093646.htm -- 2008-12-5 0:00:00
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Axiom Microdevices有限公司今天宣布推出AX508功率放大器(PA)，继续扩大它的产品供应版图, 将CMOS的全部优点带给客户。AX508采用主流的CMOS工艺技术，在单一集成电路(IC)上集成了四频GSM/GPRS的功能。相对于该公司AX502产品, AX508的主要优点…
http://article.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2008-12/2008121055117.htm -- 2008-12-1 0:00:00
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锐迪科微电子（RDA）近日宣布，采用GaAs InGaP HBT工艺的高线性2.5-2.7GHz WiMAX宽带功率放大器RDAW263投入量产。RDAW263是为处于2.5-2.7GHz频段的WiMAX 和WiBro（韩国Mobile WiMAX的名称）应用而设计，满足各种WiMAX 应用，支持IEEE 8…
http://article.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2008-11/20081129015119.htm -- 2008-12-1 0:00:00
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LED照明市场领先厂商Cree公司宣布，其白光功率二极管实现每瓦161流明的光通量，此光通量为业界研发成果汇报中的最高水平。这些结果再次彰显了Cree通过持续专注的创新和研发，为业界提供一流性能的长期承诺。Cree的测试表明，在4689K的色温条件…
http://article.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2008-11/20081120031759.htm -- 2008-11-20 0:00:00
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日前，Vishay Intertechnology, Inc.推出一款新型 20V n 通道器件 --- SiR440DP，扩展了其第三代 TrenchFET® 功率 MOSFET 系列。该器件采用 PowerPAK® SO-8 封装，在 20V 额定电压时具有业界最低导通电阻及导通电阻与栅极电荷乘积。SiR440DP 在 4.5V 栅极驱动…
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全球高性能模拟半导体设计和制造领导厂商Intersil公司今天宣布，推出节省空间、降低成本、简化设计的高集成度功率转换模块ISL8201M。ISL8201M是高效率、低噪声、高集成度的DC/DC电源解决方案，在热增强的QFN封装内集成了PWM控制器、MOSFET…
http://article.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2008-11/20081120025724.htm -- 2008-11-20 0:00:00
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全球领先的高性能、高能效硅解决方案供应商安森美半导体(ON Semiconductor)推出以太网供电(PoE)产品系列的两款新产品——NCP1082和NCP1083。 与最近推出的NCP1081一样，NCP1083是业界最高功率的集成以太网供电用电设备(PoE-PD)的同一系列，支持…
http://article.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2008-11/20081119101321.htm -- 2008-11-19 0:00:00
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凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出 LT8410/-1 低噪声微功率升压型转换器，该器件具集成的电源开关、肖特基二极管和逆向电压保护二极管、以及输出断接电路，采用 2mm x 2mm DFN 封装。LT8410/-1 使用一种独特的设计方法，仅需要 8.5uA 静态电流，…
http://article.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2008-11/2008116102236.htm -- 2008-11-6 0:00:00
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Diodes Incorporated全面扩展旗下的功率MOSFET产品系列，加入能够在各种消费、通信、计算及工业应用中发挥负载和切换功能的新型器件。新器件涵盖Diodes和Zetex产品系列，包括27款30V逻辑电平、9款20V低阈值的N、P和采用不同工业标准封装的互补MO…
http://article.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2008-10/20081031112211.htm -- 2008-10-31 0:00:00
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全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 宣布将倾情参加在亚洲举办的两个重要行业盛会。IR将分别参加在韩国首尔举行的EDN韩国电源管理系统设计方法论坛和在中国深圳举行的EDN中国创新论坛。IR亚洲区销售副…
http://article.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2008-10/20081031103609.htm -- 2008-10-31 0:00:00
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凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出低功率 14 位、125Msps ADC，该器件仅消耗 127mW 功率，低于之前解决方案功率的三份之一。高速 ADC 传统上是大功率器件：更高的采样率、ADC 消耗更多功率。在使用多个 ADC 测量很多输入通道的系统中，或装…
http://article.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2008-10/20081030025326.htm -- 2008-10-30 0:00:00
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日前，Vishay Intertechnology, Inc.推出一款新型 25V n 通道器件 --- SiR476DP，从而扩展了其 Gen III TrenchFET® 功率 MOSFET 系列，对于采用 PowerPAK® SO-8 封装类型且具有该额定电压的器件而言，该器件具有业界最低的导通电阻以及导通电阻与栅极电荷之乘…
http://article.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2008-10/20081029061334.htm -- 2008-10-29 0:00:00
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据日经BP社报道，住友金属工业综合技术研究所在全球首次开发出从Si（硅）Ti（钛）等金属组成的高温熔液中制备SiC（碳化硅）单晶的熔液生长法，生长速度已接近实用水平。 SiC与Si相比，由于更加耐高压、耐高温，因此可制造小型高效的功率元件…
http://article.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2008-10/20081022020532.htm -- 2008-10-22 0:00:00
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从打响第10届高交会头炮的高交会电子展ELEXCON上召开的“2008全球半导体市场大会”传来消息，中国将成为世界功率半导体第一大市场。功率半导体，直译指功率半导体器件和功率集成电路。随着构建节能型社会目标在国际间的确立，功率半导体发展应…
http://article.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2008-10/20081016010647.htm -- 2008-10-16 0:00:00
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在11日召开的全球半导体市场大会上，来自iSuppli、NXP和IR的专家对功率半导体技术未来进行了探讨。 iSuppli亚洲区副总裁兼总经理TimWang指出电源管理市场周期性增长正在消失，逐步转变为一位数增长，因此，在传统模式很难再获得大的业务增长。电源…
http://article.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2008-10/20081015102653.htm -- 2008-10-15 0:00:00
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