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上约有 1 项符合自对准阻挡层的查询结果， 以下是第 1 - 1 项。 （搜索用时 0.406 秒）
　　一种利用锗掺杂的新型PECVD自对准阻挡层，作为低成本的简单方法，可以提高铜互连对电迁移的抵抗能力。 　　随着摩尔定律的推进，对铜互连抵抗电迁移（EM）的要求不断提高，而满足这种要求变得越来越困难。随着线条尺寸缩减，EM失效的临界…
http://article.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2008-07/200876060909.htm -- 2008-7-6 0:00:00
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