EV Group (EVG), a leading supplier of wafer bonding and lithography equipment for the MEMS, nanotechnology and semiconductor markets, today introduced the NT series -- a new, yet already field-proven suite of mask aligners, wafer-to-wafer (W2W) bond aligners and measurement systems -- to address increased demand fo…

http://article.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2008-12/2008122062708.htm -- 2008-12-2 0:00:00

惠普实验室(HP Labs)日前在加州柏克莱(Berkeley)举行的一场研讨会上，介绍了该机构正在研发中的首款3D忆阻器(memristor)芯片原型。该原型是惠普研究人员Qiangfei Xia将忆阻器纵横栓(crossbar)内存细胞堆栈在一颗CMOS逻辑芯片上而成。 “Xia是利用压印微影技…

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美国Veeco Instruments公司日前发布一款新Insight全自动三维原子力显微镜（3DAFM ）平台，专为32nm和22nm节点光掩膜高精度的3维量测而设计。InSight 3DAFM-PM具有无与伦比的精确度和精密度，同时它又是一种无损测量，并且能够做高解析度三维量测，特…

http://article.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2008-10/20081017111521.htm -- 2008-10-17 0:00:00

电浆蚀刻和沉积系统的领导设计与制造厂商Tegal Corporation今天宣布其已与Alcatel Micro Machining Systems (AMMS) 和Alcatel-Lucent签约，以并购针对进阶3D晶圆层级封装应用的深层反应性离子蚀刻(DRIE) 和电浆体增强化学气相沉积) (PECVD)产品线与相关智能财产…

http://article.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2008-09/200893114449.htm -- 2008-9-3 0:00:00

　　为将低成本存储器和高性能逻辑器件集成于大的嵌入式存储器模块，日前斯坦福大学纳米研制中心(SNF)与韩国国家纳米制造中心（NNFC），以及美国初创公司BeSang Inc.表示在3D IC技术上获得突破。 　　作为测试产品，该3D IC采用标准的0.18微米CMO…

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世界上第一款3D芯片工艺已经准备获取牌照，该工艺来自于无晶圆半导体设计公司BeSang公司。 BeSang公司制作的用于演示的芯片在其控制逻辑上使用了1.28亿个垂直晶体管用作内存位单元。该芯片的设计在国家Nanofab中心（韩国大田）和斯坦福Nanofab（…

http://article.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2008-08/2008818115210.htm -- 2008-8-18 0:00:00

设在柏林的FerdinandBraun超高频（FBH）研究所已经开发了晶体管开关频率可以超过200GHz的半导体工艺。该工具还有可能吸引半导体工业的其他特点：该工艺具有实现三维集成电路的能力。 由FBH的研究人员开发的转移衬底工艺采用铟砷化镓（InGaAs）作…

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IMEC与高通(Qualcomm)公司日前联合宣布，高通成为首家无晶圆集成电路公司加入IMEC的IIAP研发项目(IMEC industrial affiliation program)。高通将与其他项目成员共同开发3D技术无线产品。 IMEC的3D项目专注于3D晶圆级封装及3D堆叠技术，为3D互连提供具有…

http://article.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2008-07/2008721112928.htm -- 2008-7-21 0:00:00

为了更好理解和开发应用于无线通信的3D技术，IMEC日前宣布，将无线通讯芯片供应商Qualcomm Inc纳入其3D集成工业联盟体系。IMEC表示，3D技术研发项目主要聚焦于3D晶圆级封装（3D WLP）和3D堆叠芯片，以在芯片内不同布线层次上实现3D互连，获…

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　　数家研究小组和公司已经展示了通过芯片叠层和穿透硅通孔（TSV）互连来实现复杂3D芯片的可行性。 　　在本文中，我们将介绍两种TSV工艺技术。第一种是将通孔制作在已完成的器件晶圆上。在完成标准的CMOS工艺之后再制作这些通孔，可以得到3…

http://article.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2008-07/200876054717.htm -- 2008-7-7 0:00:00

　　存储器巨头SanDisk、Toshiba日前签署了一项协议，共同开发可重复擦写的3D存储器。 　　根据协议，SanDisk和Toshiba将贡献并交叉授权所有关于3D协作的技术专利，并且将联合进行研发。作为双方知识产权授权协议的一部分，Toshiba将向SanDisk支付一…

http://article.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2008-07/200874101751.htm -- 2008-7-4 0:00:00

据日经BP社报道，日本早稻田大学发布了能够利用硅通孔（TSV）布线以低成本制造三维积层LSI的工艺。该工艺由早大大学院先进理工学研究科庄子研究室开发，日本IBM东京基础研究所也予以参与。 　　该工艺通过利用垂直方向的多条布线连接高速处理…

http://article.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2008-06/2008627044613.htm -- 2008-6-27 0:00:00

SanDisk和东芝两家公司似乎有意扩大合作范围，根据来自美国证券交易委员会(SEC)的一份文件，双方计划合作开发某种能重复擦写的3D存储芯片。 　　在SanDisk提交的一份文件上写着，SanDisk和东芝“将贡献并交叉授权所有关于3D协作的技术专利，并且将…

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IBM实验室和柏林弗劳恩霍夫研究院（Fraunhofer Institute）合作，日前向外界展示了一款采用3D堆叠技术，并在芯片内部实现直接水冷散热的原型芯片。 该芯片使用3D堆叠技术，将原本水平排列的半导体电路一层一层的堆叠在芯片封装当中，可大大提高半导…

http://article.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2008-06/200866034508.htm -- 2008-6-6 0:00:00

由于微处理器中布满电路，所以通常都认为无法通过水冷的方式来直接降低其温度。但是IBM却希望开发一种细如头发丝的水冷管来为片的进一步发展扫清障碍。IBM实验室和柏林弗劳恩霍夫研究院（Fraunhofer Institute）合作，日前向外界展示了一款采用3D堆…

http://article.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2008-06/200866012802.htm -- 2008-6-5 0:00:00