EV Group (EVG), a leading supplier of wafer bonding and lithography equipment for the MEMS, nanotechnology and semiconductor markets, today introduced the NT series -- a new, yet already field-proven suite of mask aligners, wafer-to-wafer (W2W) bond aligners and measurement systems -- to address increased demand fo…

http://article.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2008-12/2008122062708.htm -- 2008-12-2 0:00:00

IMEC与高通(Qualcomm)公司日前联合宣布，高通成为首家无晶圆集成电路公司加入IMEC的IIAP研发项目(IMEC industrial affiliation program)。高通将与其他项目成员共同开发3D技术无线产品。 IMEC的3D项目专注于3D晶圆级封装及3D堆叠技术，为3D互连提供具有…

http://article.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2008-07/2008721112928.htm -- 2008-7-21 0:00:00

高级三维芯片级互连解决方案领先供应商Vertical Circuits公司（VCI）今天宣布授予诺信（纳斯达克代码：NDSN）旗下点胶、涂布和喷射技术领导者Asymtek为"创新合作伙伴"。 Asymtek的Axiom®自动点胶系统可在提供高批量生产能力上发挥关键作用，以满…

http://article.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2008-07/2008718065620.htm -- 2008-7-18 0:00:00

近日，应用材料公司扩充了Applied Producer® Etch系统的应用，开始为先进的Flash和DRAM存储器提供互联刻蚀。随着存储器制造中电介质刻蚀步骤的不断增加，刻蚀系统需要满足生产率和成本效益方面越来越高的要求。Producer Etch刻蚀系统的产量高于目…

http://article.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2008-07/2008718034512.htm -- 2008-7-18 0:00:00

　　一种利用锗掺杂的新型PECVD自对准阻挡层，作为低成本的简单方法，可以提高铜互连对电迁移的抵抗能力。 　　随着摩尔定律的推进，对铜互连抵抗电迁移（EM）的要求不断提高，而满足这种要求变得越来越困难。随着线条尺寸缩减，EM失效的临界…

http://article.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2008-07/200876060909.htm -- 2008-7-6 0:00:00

　　“将IC或封装嵌入到衬底的技术，可消除对电子组装的需求，并避免组装风险如锡须。” 　　 　　自从集成电路发明以来，芯片已无可辩驳地成为电子电路集成的最终形式。从那以后，集成度增加的速度就按照摩尔定律的预测稳步前进。摩尔定律的预测在…

http://article.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2008-07/200874102802.htm -- 2008-7-9 0:00:00

　　随着器件的特征尺寸越来越小，集成度越来越高，超大规模集成电路（ULSI）中设计的金属导线变细使得金属电阻增大，产生的热量增多，从而产生了严重的电迁移现象，同时由于线间电容和金属电阻增大引起的延迟（RC Delay）也不断恶化，这些都大…

http://article.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2008-06/200869121904.htm -- 2008-6-10 0:00:00

在今年夏天举行的IITC上，研究人员将会报告互连技术的最新研究进展。最吸引人的两个发展方向是3D IC和纳米管互连。国际互连技术会议（加州Berlingame，6月2-4日）将成为从系统级开始，全力解决互连难题的论坛。 “互连”是集成电路中连接晶体管和其他…

http://article.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2008-06/200865023730.htm -- 2008-5-27 0:00:00

　　斯坦福大学的研究人员使用多层碳纳米管（MW-CNT）构成导线，使互连线传输频率首次达到千兆赫兹的传输性能。 　　斯坦福大学电子工程系教授H.-S. Philip Wong及其博士生Gael Close表示：“尽管很多人都预测了纳米管可以用于互连线，但到目前为止，…

http://article.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2008-05/200852080257.htm -- 2008-6-5 0:00:00

　　新型电镀工艺技术可解决传统电镀的局限。 　　对新产品和尖端产品不断升级需求的驱使下，电子产品的生命周期持续缩短，半导体产业面临着对创新的持续渴求。特别是对封装业而言，更小的封装、更高的性能及更低的成本成为其主要压力。 　　用于…

http://article.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2008-04/200844031921.htm -- 2008-4-7 0:00:00

　　当前的检测技术似乎能向更小节点推进，但仍需要开发出更稳定的建模方法，并对外形和界面进行高精度控制。由于某些量测工具已处于功能极限，因而需要发展新技术。 　　对摩尔定律的追求导致互连延迟较门延迟更加显著，铝互连被具有较低电阻率…

http://article.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2008-03/2008310110713.htm -- 2008-3-10 0:00:00

　　东京电子（TEL）日前宣布加入美国SEMATECH的3D项目。两公司已经就此项目举行了签字仪式，TEL今后将与属于SEMATECH的3D互连开发成员的数家半导体生产厂商协同合作，共同推进该项目的发展。 　　在加入3-D互连研发计划之前，TEL曾参与S…

http://article.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2007-12/20071215113755.htm -- 2007-12-18 0:00:00

东京电子（TEL）日前正式加入Sematech 3-D互连研发计划。 在加入3-D互连研发计划之前，TEL曾参与Sematech 3D通孔硅（through-silicon vias，TSVs）的早期开发工作，包括深反应离子刻蚀、成本模型及技术蓝图设计等。 东京电子美国公司技术中心副总裁Masayu…

http://article.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2007-11/20071112102714.htm -- 2007-11-12 0:00:00

北爱尔兰SOI衬底制造商IceMOS Technology Ltd日前开发了一种全新的贯穿晶圆互连技术（through-wafer interconnect technology）。该公司成立于2004年，专为MEMS和IC市场提供SOI（绝缘体上的硅）衬底。 IceMOS Technology拥有一家晶圆厂，可制造100、125、15…

http://article.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2007-09/2007929112048.htm -- 2007-9-29 0:00:00

　　来自IBM、Infineon和AMD的工程师们的最新研究结果证实，在45nm节点，非常薄的PVD阻挡层仍然展现出良好的可靠性，特别是当衬垫（liner）工艺被合理地加以应用时。Infineon的工程师Armin Fischer及其同事们在近期于Phoenix举行的国际可靠性物理研讨…

http://article.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2007-09/200798082156.htm -- 2007-9-11 0:00:00