针对38nm存储器和32nm逻辑芯片产品的量产化制造，荷兰光刻巨头ASML日前展示了其Twinscan XT:1950i光刻系统，采用1.35NA（数值孔径）的镜头，通过提高套刻精度、分辨率和生产能力，该浸没式光刻系统的整体性能提升了25%。ASML表示，Twinscan XT:…

http://article.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2008-07/2008717043525.htm -- 2008-7-17 0:00:00

罗门哈斯电子材料日前宣布建立新的浸没式光刻实验室设施，以支持电子材料的研发，包括光刻胶、抗反射涂层、顶部涂层。Celebrating the opening were (left to right): Kathleen O'Connell, associate director of R&D, Microelectronic Technologies; Julie Planchet, general manager, North …

http://article.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2008-07/2008710014758.htm -- 2008-7-10 0:00:00

Prior to SPIE Advanced Lithography 2008, Cymer, Inc. (Nasdaq:CYMI), the world's leading supplier of light sources used in semiconductor lithography, announced today the shipment of its 100th XLA 6kHz laser − the industry’s first production-worthy light source for 45nm immersion lithography − to a high-volu…

http://article.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2008-02/2008228105953.htm -- 2008-2-28 0:00:00

日前，荷兰光刻设备制造商ASML发布了2007财政年销售报告，报告称上涨5 .9％主要得益于对领先的浸没式光刻系统的需求趋势。尽管整个半导体业界对资本支出的预测持悲观态度，但该公司还是认为ASML不会受行业不景气的影响，预计在2008年浸没式光…

http://article.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2008-01/2008118020336.htm -- 2008-1-18 0:00:00

While past years have focused more on solving the challenges of water-based immersion lithography, this year’s International Symposium on Immersion Lithography, being held this week in Keystone, Colo., has turned much of its attention to further extensions of optical lithography, including high-index immersion lithography and do…

http://article.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2007-10/20071011102842.htm -- 2007-10-11 0:00:00

Rudolph Technologies (NASDAQ:RTEC) announced today it has provided an edge inspection tool to lithography system provider ASML Holding NV (ASML) (Euronext Amsterdam, NASDAQ: ASML) to help characterize wafer defects originating from process control issues at the wafer edge and accentuated by the immersi…

http://article.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2007-09/200795013059.htm -- 2007-9-5 0:00:00

　　“新的程序则使步进方向平行于曝光扫描方向，这样，残留物就不会在后续的曝光步骤中被印制。” 　　来自台积电（TSMC）的工程师们已经找到通过比较光学显微镜图像和扫描电子显微镜（SEM）图像来跟踪缺陷来源的方法，从而成功地将浸没式曝光…

http://article.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2007-07/2007715013247.htm -- 2007-7-17 0:00:00

Rohm and Haas Electronic Materials（罗门哈斯电子材料公司）将在前沿光刻设备方面投资6000万美元，为其用于半导体芯片制造的先进193nm光刻胶以及抗反射涂敷材料研发提供支持。 作为此项投资的一部分，Rohm and Haas Electronic Materials将购买一台ASML制造的…

http://article.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2007-06/2007628110248.htm -- 2007-6-28 0:00:00

　　与浸没液、光刻胶和顶部涂层的相互作用，以及边缘水珠去除工艺有关的缺陷都会影响到工艺成品率。自动边缘检查揭示出几种浸没式光刻所特有的缺陷模式。 　　自动边缘检测揭示出几种浸没式光刻所特有的缺陷模式。与浸没液的行为、光刻胶和顶部…

http://article.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2007-06/2007615102930.htm -- 2007-6-19 0:00:00

虽然全球三大微影设备制造商均积极投入极紫外光（EUV）微影技术，但成本实在太高，几乎是目前193nm浸润式（immersion）微影设备的二倍以上，为了延续现在主流的193nm浸润式微影设备生命周期，台积电、ASML、卡尔蔡司半导体事业群（Carl ZeissSM…

http://article.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2007-06/2007615103321.htm -- 2007-6-15 0:00:00

Sematech与纽约州立大学奥尔巴尼分校的纳米尺度科学与工程学院（CNSE）将向哥伦比亚大学在浸没式光刻领域的研究提供进一步的资助。据悉，该项研究专注于寻找和开发新型的化学物质以制造双重曝光材料。该一研究工作将在Sematech的Resist Test Center…

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　　随着高折射率浸没式光刻看起来并不比其他光刻方案更有希望，业界现在开始热烈地讨论双重图形，想以此作为拓展水浸式光学光刻强有力的方法 　　业界的大多数专家，不管是否相信下一代光刻技术的可行方案只有EUV这一种，都一致认为在未来几年…

http://article.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2007-04/2007422112026.htm -- 2007-4-24 0:00:00

　　JSR日前宣布已经开发出了第2代浸没式光刻用液体，其折射率达1.64，用波长为193nm 的ArF准分子激光器得到的穿透率高于纯水。JSR计划进一步加强第2代浸没式曝光技术的实用化，预定在得到设备生产商和大型半导体制造厂协助的基础上再进行商讨。…

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新近由ASML日本公司营业本部部长升任该公司董事长兼社长的石绵宏日前表示，ASML公司2007年的首要任务是浸没式光刻设备业务走上正轨。为此，ASML将强化设备用户的支持体制。 2006年ASML的销售额比上年大幅增加了42%。石绵宏表示，进入2007…

http://article.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2007-03/2007330111106.htm -- 2007-3-30 0:00:00

为了迎头赶上英特尔(Intel)公司，美商超微(AMD)首次揭露了其45纳米制程技术细节。这项具有10层金属层的制程将采用铜互连、渗透性低k电介质薄膜、嵌入式应变硅与先进的退火技术。AMD并不会在45米制程上采用金属闸和高k电介质，但该公司将首次在…

http://article.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2007-03/200732011946.htm -- 2007-3-2 0:00:00