尽管在45nm技术节点上，绝大部分的芯片制造商都将采用浸没式光刻技术，但是对于32nm而言，哪一种技术才是最佳选择目前还没有定论。其中，一种可能的解决方案就是采用高折射率材料进一步延伸浸没式光刻技术的使用寿命。然而，之前针对这项…

http://article.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2008-05/200852080804.htm -- 2008-6-5 0:00:00

While past years have focused more on solving the challenges of water-based immersion lithography, this year’s International Symposium on Immersion Lithography, being held this week in Keystone, Colo., has turned much of its attention to further extensions of optical lithography, including high-index immersion lithography and do…

http://article.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2007-10/20071011102842.htm -- 2007-10-11 0:00:00

　　JSR日前宣布已经开发出了第2代浸没式光刻用液体，其折射率达1.64，用波长为193nm 的ArF准分子激光器得到的穿透率高于纯水。JSR计划进一步加强第2代浸没式曝光技术的实用化，预定在得到设备生产商和大型半导体制造厂协助的基础上再进行商讨。…

http://article.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2007-04/2007422111315.htm -- 2007-4-24 0:00:00

在2月25日～3月2日于美国加利福尼亚州圣诺塞市举办的“SPIE Advanced Lithography 2007”上可以看到，面向32nm工艺、使用高折射率液体的液浸曝光（高折射率液浸）工艺获得进展。旨在取代水的第2代液体处理工作有了眉目，从目前的情况来看…

http://article.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2007-03/2007314014934.htm -- 2007-3-14 0:00:00

日本JSR在将折射率维持在1.64的情况下成功地使液浸ArF曝光用高折射率液体的透射率提高到了超过纯水的水平。作为提高液浸曝光设备成像能力的手段，高折射率液体的导入受到了业界的广泛关注。但过去由于液体透射率低，因此有人担心曝光设备的处理…

http://article.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2007-03/2007312100710.htm -- 2007-3-12 0:00:00

　　ASML和Nikon最新一代的浸没式光刻设备其数值孔径(NA)已经接近了使用水作为浸没液体所能达到的光学理论极限了。在SEMICON West大会上，Nikon发布了它的最新一代浸没式光刻设备NSR-S610C，其数值孔径达到了1.3；而ASML的Twinscan XT:1900i的…

http://article.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2006-10/20061014074116.htm -- 2006-10-15 0:00:00

　　在今年的SPIE Microlithography年会上，与会的专家们一如既往地针对如何延伸光学光刻技术使用寿命的问题进行了大量的研讨。而与往年会议不同的是，尽管有人心存疑虑，但今年的会议仍然对双重曝光技术打开了友善之门。关于这项技术，普遍的问题…

http://article.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2006-06/2006617123010.htm -- 2006-6-19 0:00:00

; ; ; ; ; ; 第一代浸没式光刻技术才投入商业化量产不久（见芯片制造商致力于193纳米浸没式光刻技术”，《半导体国际》2005年4月一文），科学家们就已经把注意力集中在下一代浸没式光刻技术上了：更大的数值孔径，更高的光学折射率的液体或其他类似材料。 …

http://article.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2005-7/2006112143052591f4.htm -- 2005-7-6 0:00:00