加州大学伯克利分校的几位研究者日前宣布，他们已经开发出了一种新的光刻技术，有望将摩尔定律一直延续到5nm制程，同时还可能替代目前的Blu-Ray技术成为未来的光学存储方案。该研究由加大伯克利机械工程系的两位教授张翔（音译）和David Bogy主持…

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半导体设备商Mattson Technology公司日前宣布，其最新系列Suprema(TM)光刻胶剥离系统收到订单。此订单来自一家领先的半导体制造商，将用于32nm节点高K及金属栅极的光刻胶剥离。Mattson称此订单意义重大，是第一套被客户用于逻辑器件开发的Suprema…

http://article.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2008-10/20081022020937.htm -- 2008-10-22 0:00:00

近日在荷兰Veldhoven举办的研究回顾会议上，ASML公司表示，相对于上代光刻扫描机，Twinscan浸没式光刻系统在性能和产能上获得了极大的提升。通过结合更快的平台技术和更强的光源材料，产能可超过200wph。器件制造商开始需要新的双重图形技术来…

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据EETimes报道，欧洲研发机构IMEC首席运营官Luc Van den Hove表示，IMEC将在2010年上半年制成预投产EUV（极紫外）光刻设备。 按照目前的进程，该设备将于2012年在IMEC的300mm生产线上投产。尽管对于EUV在商业制造中的合理性尚存疑问，然而IME…

http://article.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2008-10/20081020105831.htm -- 2008-10-20 0:00:00

ASML Holding NV (ASML) presents today at the 2008 International Symposium on Extreme Ultraviolet Lithography (EUV) on recent achievements in its EUV lithography program and unveils a production system roadmap that supports cost-effective chip manufacturing to at least 11 nanometers (nm). The NXE series of lithograp…

http://article.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2008-10/20081017053202.htm -- 2008-10-17 0:00:00

Mapper Lithography日前表示，公司已经向台积电（TSMC）发货了其首套300mm多电子束（e-beam）无掩膜光刻工具，用于22nm工艺研发和器件原型制作。“Mapper的技术为22nm及更高节点具有成本效益的制造提供了很大的保障，”TSMC研发部副总裁Jack Sun表…

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KLA-Tencor 公司10日推出了 PROLITHTM 12 ，这是一款业界领先的新版计算光刻工具。此新版工具让领先的芯片制造商及研发机构的研究人员能够以具有成本效益的方式探索与极紫外线 (EUV) 光刻有关的各种光罩设计、光刻材料及工艺的可行性。 缩小芯片上重…

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KLA-Tencor 公司今天推出了业界领先的新版计算光刻工具 PROLITHTM 12。该工具让领先的芯片制造商及研发机构的研究人员能够以具有成本效益的方式探索与极紫外线 (EUV) 光刻有关的各种光罩设计、光刻材料及工艺的可行性。 缩小芯片上重要器件的关键尺…

http://article.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2008-10/20081010044920.htm -- 2008-10-10 0:00:00

光刻设备巨头ASML日前发布了NXE系列EUV光刻设备的生产版本（production version）。公司表示，这是面向低至11nm更具成本效益的芯片制造所制定蓝图的一部分。 NXE系列设备及发展蓝图将在加州Lake Tahoe举行的国际EUV研讨会上展示。 NXE设备建立在…

http://article.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2008-10/2008103114556.htm -- 2008-10-3 0:00:00

　　XR-1541电子束光刻胶专为实现下一代直写光刻工艺技术开发所设计。先进的旋涂式光刻胶产品系列是以电子束取代传统光源产生光刻图案，可提供图形小至6纳米的无掩膜光刻技术能力。它由甲基异丁基酮带性溶剂中的含氢硅酸盐类树脂所构成，适用于…

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　　无论湿法去胶还是干法去胶，光刻胶去除工艺都需要在低k材料损伤、衬底硅材料损伤与光刻胶和其残余物去除效果之间取得平衡。 　　对于32 nm及更高技术节点，超浅结（USJ）工艺中的清洗成为最关键的前道（FEOL）清洗工艺，对此国际半导体蓝图…

http://article.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2008-09/2008929082410.htm -- 2008-11-6 0:00:00

应特格中国（Entegris China）将于2008年9月23日在上海举办应特格2008亚洲光刻应用技术研讨会，在此应特格公司将与参会者共同探讨交流光刻技术，并借此机会展示应特格光刻产品及技术。应特格公司盛情邀请业内工程师和经理人参加该研讨会，并进行技…

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先进掩膜技术中心(AMTC)、半导体设备供货商Vistec和德国国家物理技术研究院(PTB)将共同完成研发下一代芯片生产技术和量测流程的开发项目。 德国教育部对此代号为“CDuR32 (32nm掩膜光刻技术的核心演习和使用) ”的研发项目提供了部分资助。该项目的总…

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　　Imprio 300压印光刻工具在单次曝光下提供10nm及更高的图形分辨率。基于公司的S-FIL（步进和闪光压印光刻）技术，由于压印进入的是液滴而非固体，所以更容易获得高的套刻精度。系统在室温下工作，使得套刻速度更快且易与CMOS工艺兼容。线边…

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　　据SEMI数据，2007年光刻掩膜市场达到30.1亿美元，其中包括零售厂商和自用厂商的销售额，掩膜市场已成为仅次于硅材料的第二大晶圆制造材料市场。预计2010年掩膜市场可达38.9亿美元，并仍保持第二大半导体制造材料市场的位置。目前从销售收入…

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