罗门哈斯电子材料公司（Rohm and Haas Electronic Materials）旗下的研磨技术事业部（CMP Technologies）是全球半导体行业化学机械研磨（CMP）技术领域的领导者和创新者。该部门近日面向高级Cu/low-k材料互连应用产品推出了ACuPLANE™铜阻挡层CMP…

http://article.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2008-09/2008916020429.htm -- 2008-9-16 0:00:00

近日，应用材料公司推出Applied Endura® Extensa™ PVD（物理气相沉积）系统，这是业界唯一在亚55纳米存储芯片铜互连的关键阻挡层薄膜沉积工艺中具有量产价值的系统。Extensa系统独特的Ti/TiN工艺技术使扩散阻挡薄膜具有高水准的阶梯覆盖率，…

http://article.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2008-07/2008725072024.htm -- 2008-7-26 0:00:00

　　一种利用锗掺杂的新型PECVD自对准阻挡层，作为低成本的简单方法，可以提高铜互连对电迁移的抵抗能力。 　　随着摩尔定律的推进，对铜互连抵抗电迁移（EM）的要求不断提高，而满足这种要求变得越来越困难。随着线条尺寸缩减，EM失效的临界…

http://article.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2008-07/200876060909.htm -- 2008-7-6 0:00:00

　　造成铜电迁移（EM）的主要因素之一是铜线与叠层势垒介质之间的弱界面。为了改善该界面，已经开发了新的自对准CuSiN工艺。Crolles2 Alliance和 NEC Electronics的研究人员于几个月前在加利福尼亚州Burlingame召开的国际互连技术会议(IITC)上展示了他们…

http://article.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2006-09/200699124441.htm -- 2006-9-9 0:00:00

　　随着工艺尺寸的减小，金属连线中的电流密度不断增大，响应时间不断缩短，传统铝布线已达到工艺极限。工艺尺寸小于130纳米后，铜工艺布线被用于生产逻辑电路。与铝工艺相比，铜工艺的特点主要是：刻蚀先于金属沉积，低k介电层材料的运用，纯…

http://article.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2005-10/2006112143053095d9.htm -- 2005-10-10 0:00:00

Can Nickel Barriers Eliminate Tin Whiskers?-------------------------------------------------------------------------------Like it or not, lead-free requirements are coming and will be here to stay, along with one of their biggest problems: tin whiskers. Agere Systems (Allentown, Pa.) recently announced promising results fro…

http://article.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2004-11/20061121430497cc23.htm -- 2004-11-4 0:00:00