IBM近日表示，它将和其合作伙伴共同开发一套基于计算等比缩小技术（CS），包括在灰度像素级别对光刻光源的程序编制。在光源-掩膜版优化（SMO）的努力成果旨在应用于22纳米技术节点。Toppan和另一家未宣布的光刻设备制造商也参与其中。IBM方…

http://article.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2008-09/2008929084037.htm -- 2008-10-1 0:00:00

IBM近日表示，它将和其合作伙伴共同开发一套基于计算等比缩小技术（CS），包括在灰度像素级别对光刻光源的程序编制。在光源-掩膜版优化（SMO）的努力成果旨在应用于22纳米技术节点。Toppan和另一家未宣布的光刻设备制造商也参与其中。IBM方…

http://article.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2008-09/2008926111849.htm -- 2008-9-26 0:00:00

为了缩短光刻掩膜版循环周期，控制成本，日本掩膜版制造商凸版印刷（Toppan Printing）表示，作为业界第一个开发32nm光掩膜制造工艺的制造商，他们于6月开始量产32nm掩膜版，性能已通过了领先向32nm工艺转移的数码相机、移动电话和其他器件的芯片…

http://article.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2008-06/2008620050938.htm -- 2008-6-20 0:00:00

为了缩短光刻掩膜版循环周期，控制成本，日本掩膜版制造商凸版印刷（Toppan Printing）表示，作为业界第一个开发32nm光掩膜制造工艺的制造商，他们于6月开始量产32nm掩膜版，性能已通过了领先向32nm工艺转移的数码相机、移动电话和其他器件的芯片…

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为了缩短光刻掩膜版循环周期，控制成本，日本掩膜版制造商凸版印刷（Toppan Printing）表示，作为业界第一个开发32nm光掩膜制造工艺的制造商，他们于6月开始量产32nm掩膜版，性能已通过了领先向32nm工艺转移的数码相机、移动电话和其他器件的芯片…

http://article.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2008-06/2008620034027.htm -- 2008-6-20 0:00:00

http://article.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2008-06/200868114606.htm -- 2008-6-19 0:00:00

　　对于极紫外（EUV）光刻技术而言，掩膜版相关的一系列问题是其发展道路上必须跨越的鸿沟，而在这些之中又以如何解决掩膜版表面多层抗反射膜的污染问题最为关键。自然界中普遍存在的碳和氧元素对于EUV光线具有极强的吸收能力。在Texas州Austi…

http://article.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2008-06/200868114606.htm -- 2008-6-11 0:00:00

Practical Solution for 193nm Reticle Haze193nm掩膜版雾状缺陷解决方案Zhang Xue Song,Field Application Supervisor,Entegris China. 张雪松，Entegris中国区产品应用技术主管，2004年加入Entegris；之前曾任职于飞利浦、松下和Thermalwave公司；曾获沈阳科技大学电子工程学士…

http://article.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2007-11/20071113023703.htm -- 2007-11-13 0:00:00

Practical Solution for 193nm Reticle Haze193nm掩膜版雾状缺陷解决方案Zhang Xue Song,Field Application Supervisor,Entegris China. 张雪松，Entegris中国区产品应用技术主管，2004年加入Entegris；之前曾任职于飞利浦、松下和Thermalwave公司；曾获沈阳科技大学电子工程学士…

http://article.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2007-11/2007119052633.htm -- 2007-11-9 0:00:00

　　Carl Zeiss SMT近日在日本横滨召开的掩膜版会议上发布了其最新的电子束掩膜版修复系统- MeRiT(R)MG 45，这使Carl Zeiss SMT成为业内首个能提供满足45nm设计节点先进要求的掩膜版修复系统供应商。 　　MeRiT(R)MG 45能在同一平台内对PSM和黑白掩膜…

http://article.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2007-05/2007512045059.htm -- 2007-5-15 0:00:00

　　雾状缺陷（Haze defect）是残留在掩膜版上的有机物或无机物，它们在曝光时有可能会生长变大。在光刻波长为248 nm时，这类缺陷尚不会引起太大的问题，大约只影响到5％的掩膜版。然而到了193nm光刻，受其影响的掩膜版高达20％左右，雾状缺陷已成…

http://article.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2007-04/2007422115308.htm -- 2007-4-24 0:00:00

DFM（可制造性设计）软件供应商Takumi Technology Corp.日前与光刻掩膜版制造巨头Dai Nippon Printing Co. Ltd.（大日本印刷，以下简称DNP）达成了一项技术合作协议，根据协议，双方将一家未具名的半导体制造商共同开发一套掩膜版检测系统。 据悉，该项目…

http://article.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2007-02/2007228111510.htm -- 2007-2-28 0:00:00

　　大日本印刷、NEC Electronics及NEC Electronics的完全子公司NEC Fabsarb联合发表声明，3家公司已达成一致，将于2007年6月1日向大日本印刷转让NEC Fabsarb的掩膜版制造及销售业务。 　　通过此次合作，NEC Fabsarb将设立新的子公司，除了将掩膜版的制…

http://article.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2007-02/200727105609.htm -- 2007-2-9 0:00:00

　　掩膜版验证系统AIMS 45-193i能够模拟193纳米浸没式光刻环境中掩膜版的表现并满足45纳米技术节点的需求。设备可以在真实曝光环境中检测掩膜版的实际表现，从而允许用户能够具体分析掩膜版的表现和定性的区分“可印制”及“非可印制”缺陷。此外，…

http://article.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2006-12/20061219075958.htm -- 2006-12-26 0:00:00

掩膜版验证系统AIMS 45-193i能够模拟193纳米浸没式光刻环境中掩膜版的表现并满足45纳米技术节点的需求。设备可以在真实曝光环境中检测掩膜版的实际表现，从而允许用户能够具体分析掩膜版的表现和定性的区分“可印制”及“非可印…

http://article.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2006-12/20061218051834.htm -- 2006-12-18 0:00:00