据日经BP报报道，台积电（TSMC）于2008年10月20日在横浜举行的技术研讨会“TSMC 2008 Technology Symposium”上公布了其有关曝光技术的发展蓝图。 　　该公司首先公布了未来的发展方针，表示继已量产的40nm工艺之后，预定2010年初开始量产的28nm工…

http://article.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2008-10/20081023035143.htm -- 2008-10-23 0:00:00

近日在荷兰Veldhoven举办的研究回顾会议上，ASML公司表示，相对于上代光刻扫描机，Twinscan浸没式光刻系统在性能和产能上获得了极大的提升。通过结合更快的平台技术和更强的光源材料，产能可超过200wph。器件制造商开始需要新的双重图形技术来…

http://article.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2008-10/20081022115638.htm -- 2008-10-22 0:00:00

据EETimes报道，欧洲研发机构IMEC首席运营官Luc Van den Hove表示，IMEC将在2010年上半年制成预投产EUV（极紫外）光刻设备。 按照目前的进程，该设备将于2012年在IMEC的300mm生产线上投产。尽管对于EUV在商业制造中的合理性尚存疑问，然而IME…

http://article.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2008-10/20081020105831.htm -- 2008-10-20 0:00:00

ASML Holding NV (ASML) presents today at the 2008 International Symposium on Extreme Ultraviolet Lithography (EUV) on recent achievements in its EUV lithography program and unveils a production system roadmap that supports cost-effective chip manufacturing to at least 11 nanometers (nm). The NXE series of lithograp…

http://article.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2008-10/20081017053202.htm -- 2008-10-17 0:00:00

KLA-Tencor 公司10日推出了 PROLITHTM 12 ，这是一款业界领先的新版计算光刻工具。此新版工具让领先的芯片制造商及研发机构的研究人员能够以具有成本效益的方式探索与极紫外线 (EUV) 光刻有关的各种光罩设计、光刻材料及工艺的可行性。 缩小芯片上重…

http://article.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2008-10/20081013102023.htm -- 2008-10-13 0:00:00

KLA-Tencor 公司今天推出了业界领先的新版计算光刻工具 PROLITHTM 12。该工具让领先的芯片制造商及研发机构的研究人员能够以具有成本效益的方式探索与极紫外线 (EUV) 光刻有关的各种光罩设计、光刻材料及工艺的可行性。 缩小芯片上重要器件的关键尺…

http://article.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2008-10/20081010044920.htm -- 2008-10-10 0:00:00

光刻设备巨头ASML日前发布了NXE系列EUV光刻设备的生产版本（production version）。公司表示，这是面向低至11nm更具成本效益的芯片制造所制定蓝图的一部分。 NXE系列设备及发展蓝图将在加州Lake Tahoe举行的国际EUV研讨会上展示。 NXE设备建立在…

http://article.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2008-10/2008103114556.htm -- 2008-10-3 0:00:00

　　Sematech光刻胶测试中心（RTC）的研究人员表示，他们已经通过化学特征增强的EUV光刻胶平台，获得了22nm半节距分辨率，曝光速度为15mJ/cm2，线宽粗糙度(LWR) 达到5-6nm。 　　RTC表示，尽管LWR仍高于ITRS技术要求，但通过处理和刻蚀工艺，…

http://article.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2008-08/2008830063431.htm -- 2008-9-2 0:00:00

Intel逻辑技术研发部(Hillsboro, Ore.)工艺架构和集成主管Mark Bohr介绍说，当开始计划生产22nm的微处理器产品时，Intel Corp. (Santa Clara, Calif.)认为在2011年前极紫外（EUV）光刻技术都不会是一项具有生产价值的技术。　　“现实情况不利于EUV技术。第一点：…

http://article.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2008-07/200876061131.htm -- 2008-7-6 0:00:00

http://article.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2008-06/200868114606.htm -- 2008-6-19 0:00:00

　　对于极紫外（EUV）光刻技术而言，掩膜版相关的一系列问题是其发展道路上必须跨越的鸿沟，而在这些之中又以如何解决掩膜版表面多层抗反射膜的污染问题最为关键。自然界中普遍存在的碳和氧元素对于EUV光线具有极强的吸收能力。在Texas州Austi…

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在上周于纽约Bolton Landing举行的Sematech光刻论坛（Sematech Litho Forum）上，来自产业界的半导体制造商、设备供应商和研发机构齐聚一堂，评估了延续半导体光刻线路图的各种备选技术，以及指导方针。Sematech表示，此次论坛上，针对32nm及更高节点的…

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日前一个关于极紫外（EUV）光刻光源开发的新联盟在日本启动，这是继EUV曝光技术开发完成后，日本极紫外光刻系统开发协会( Extreme Ultraviolet Lithography System Development Association，EUVA，日本川崎)的又一动作，该项目是在2008年3月达成决议的。5月…

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http://article.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2008-05/200852064615.htm -- 2008-5-5 0:00:00

　　随着半导体设计规则的紧缩，在65nm及更高节点，浸没式光刻和EUV被认为是获得更小节距的可选择方案，出于技术极限和成本的考量，在实现量产上光刻技术面临极大挑战，其中之一来自于光刻光源。Cymer作为光源领域的领先供应商，目前提供DUV…

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