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http://article.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2008-06/200869125607.htm -- 2008-6-19 0:00:00
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栅极和沟道的尺寸缩小，受限于源/漏结点和栅介质的发展。尽管金属栅和高k材料在逐步应用，短沟道效应(SCE)依然是个重大挑战。晶体管也会有多种二级效应：影响迁移率的载流子速度饱和效应、缩短器件寿命的热载流子效应和降低亚阈特性的漏极诱…
http://article.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2008-06/200869125607.htm -- 2008-6-11 0:00:00
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随着器件尺寸的缩小，离子注入和退火等制程的可变性开始引起器件阈值电压的显著变化。对此，器件制造商有两个选择：要么围绕可变性来设计制程，要么改变制程设备。本文将探讨在65至32 nm节点下DRAM与逻辑器件的各种可选择方案。 要想在…
http://article.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2007-02/200728093913.htm -- 2007-2-9 0:00:00
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摘要 随着业界对于高k介电材料使用的延迟，以及金属栅极的应用，对于源漏延伸区结深缩小的需求比以往所预期的越发迫切。这种趋势推动了对于准确测量电阻率和漏电流的需求。非接触式测量避免了四探针在这些浅结上造成的缺陷。 栅级等…
http://article.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2006-02/2006210093728.htm -- 2006-2-10 0:00:00
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