|
东京工业大学角岛邦之副教授等的研究小组，成功实现了high-k栅极绝缘膜的薄型化，并实验证实使用该栅极膜的MOSFET可正常工作。换算成硅氧化膜（SiO2）的等价膜厚EOT（equivalent oxide thickness）减到了0.37nm。将作high-k栅极绝缘膜的氧化镧（La2O3…
http://article.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2008-11/20081126024201.htm -- 2008-11-26 0:00:00
|
|
联华电子25日宣布，其高介电系数栅电介质 (high-k gate dielectric)／金属栅极 (metal gate) 之先进栅极技术，已经通过45纳米SRAM产品良率的验证，此为HK/MG技术的重要里程碑。此项成果在展现HK/MG的技术效能与制程可靠性上，是关键的第一步，而此技术将…
http://article.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2008-11/20081126021957.htm -- 2008-11-26 0:00:00
|
|
金属和介质薄膜被用于各种各样的半导体器件之应用，包括了电晶体栅极堆积、存储元件成形、器件内部连接之金属化和绝缘层。沉积工艺已经成熟并具备优良特性、其包括：用磁电管反应溅射法产生物理气相沉积(PVD)、化学气相沉积(CVD)及原子层沉积(…
http://article.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2008-11/20081119053917.htm -- 2008-11-19 0:00:00
|
|
2008年10月30日 — 全球高性能模拟半导体设计和制造领导厂商Intersil公司今天宣布，推出新系列12V至5V同步整流降压式MOSFET驱动器，为英特尔 VR11.1系统提供业界最高的轻负载效率。ISL6622和ISL6622A及ISL6622B具有3A的吸收能力，以及快速上升/下…
http://article.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2008-10/20081031104749.htm -- 2008-10-31 0:00:00
|
|
全球高性能模拟半导体设计和制造领导厂商Intersil公司16日宣布，推出高频 6A 吸入电流同步（sink synchronous） MOSFET 栅极驱动器 ISL6615 和 ISL6615A 。这些新器件有助于为系统安全提供更高的效率、灵活性和更多的保护功能。 Intersil 公司此次推出的新型驱动…
http://article.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2008-05/2008519113809.htm -- 2008-5-19 0:00:00
|
|
IBM及其合作开发伙伴日前宣布，它们用于下一代32纳米器件的高k/金属栅极技术将在2009年下半年向IBM合作伙伴及其客户提供。IBM的合作伙伴包括AMD、特许半导体、英飞凌、三星和IBM。利用高k/金属栅极工艺技术，IBM及其伙伴能够把芯片尺寸最多…
http://article.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2007-12/20071214103413.htm -- 2007-12-14 0:00:00
|
|
英特尔公司隆重发布了16款服务器及高端PC处理器，它们均采用全新晶体管技术，能够有效减少漏电量，成功奠定未来计算创新之路。这些处理器产品不仅增强了计算性能，有效减少了能源消耗，而且还在处理器的封装中弃用了危害环境的铅元素，并将于2…
http://article.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2007-11/20071114114401.htm -- 2007-11-14 0:00:00
|
|
近日，应用材料公司推出Centura® Carina™ Etch系统用于世界上最先进晶体管的刻蚀。运用创新的高温技术，它能提供45纳米及更小技术节点上采用高K介电常数/金属栅极(HK/MG)的逻辑和存储器件工艺扩展所必需的材料刻蚀轮廓，是目前唯一具有上…
http://article.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2007-08/2007820114057.htm -- 2007-8-20 0:00:00
|
|
近日，应用材料公司推出Centura® Carina™ Etch系统用于世界上最先进晶体管的刻蚀。运用创新的高温技术，它能提供45纳米及更小技术节点上采用高K介电常数/金属栅极(HK/MG)的逻辑和存储器件工艺扩展所必需的材料刻蚀轮廓，是目前唯一具有上…
http://article.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2007-08/2007820114032.htm -- 2007-8-20 0:00:00
|
|
晶体管制造技术正迎来巨大的变化，栅极结构上新材料和新工艺的整合运用使芯片速度更快，功耗更低，从而使摩尔定律得以延续。近日，应用材料公司推出了一系列已被全面验证的生产工艺，帮助客户在大规模生产中制造高K介电常数/金属栅极（HK/MG…
http://article.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2007-08/200787120005.htm -- 2007-8-7 0:00:00
|
|
Applied Materials公司近日推出三个用于45nm节点及以上工艺的先进闸极堆叠和相关应用的工具，从而大步跨入了高K/金属栅极领域。 Applied Materials公司正在推出针对其现有单晶圆Centura平台的原子层沉积(ALD)模块。ALD模块据称可以实现用于逻辑和内存器…
http://article.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2007-08/200782105216.htm -- 2007-8-2 0:00:00
|
|
在“2007年国际半导体设备与材料展览会（SEMICON West 2007）”上，荷兰ASM International N.V.公司和全球最大半导体设备厂商美国应用材料公司（AMAT）在备受瞩目的面向高介电率（high-k）绝缘膜与金属栅极的成膜装置领域，展开了激烈的竞争。在支持连…
http://article.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2007-07/2007724104222.htm -- 2007-7-24 0:00:00
|
|
美国IBM、美国AMD、索尼及东芝4家公司联合发表了面向使用SOI（silicon on insulator）的45nm工艺CMOS的金属栅极与高介电率（high-k）栅极绝缘膜技术。采用了先加工栅极工艺（gate-first Process）。 目前已证实，通过在栅极长度为33nm的FET中导入金属…
http://article.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2007-06/2007619114349.htm -- 2007-6-19 0:00:00
|
|
据EE Times网站报道，Applied Materials Inc.日前推出了新款面向45nm和32nm节点先进低k栅极技术的Producer BLOk II PECVD系统。 据悉，该款设备能够与超低k电介质材料配合使用，比如Applied Materials公司的“Black Diamond（黑钻）”薄膜。BLOk II栅极薄膜能够“通…
http://article.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2007-06/200767093445.htm -- 2007-6-7 0:00:00
|
|
Robert J. Mears是用于宽带互联网的铒掺杂光纤放大器（EDFA）的发明者。他在寻找将光器件和波导结合到硅中的方法时，发现了一个有趣的结果：一种特殊的硅超晶格结构可以加速某一个方向上电子的定向运动（电流），而阻碍其它方向上的电流。该结…
http://article.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2007-03/2007310090322.htm -- 2007-3-13 0:00:00
|