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在始于1998年的联合工艺技术开发的成功合作基础上，松下公司与瑞萨科技公司已开始合作开发下一代32nm节点SoC的基本工艺技术。两家公司对其32nm节点晶体管技术充满信心，其他进展很快可以用于批量生产的产品。 可以预期，由于实现了其设计原则的…
http://article.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2008-10/20081024100038.htm -- 2008-10-24 0:00:00
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Mapper Lithography日前表示，公司已经向台积电（TSMC）发货了其首套300mm多电子束（e-beam）无掩膜光刻工具，用于22nm工艺研发和器件原型制作。“Mapper的技术为22nm及更高节点具有成本效益的制造提供了很大的保障，”TSMC研发部副总裁Jack Sun表…
http://article.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2008-10/20081014103654.htm -- 2008-10-14 0:00:00
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全球电子设计创新领导厂商Cadence设计系统公司，今天公布了Cadence® Encounter® Power System，这是新一代的功率完整性与分析解决方案，用于数字实现与签收。Encounter Power System建立于Si2通用功率格式（CPF）的基础之上，处于Cadence® Low-…
http://article.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2008-09/200899024906.htm -- 2008-9-9 0:00:00
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美国IBM公司、AMD以及纽约州立大学Albany分校的纳米科学与工程学院（CNSE）等机构共同宣布，世界上首个22纳米节点有效静态随机存储器（SRAM）研制成功。这也是全世界首次宣布在300毫米研究设备环境下，制造出有效存储单元。 SRAM芯片…
http://article.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2008-08/2008820093745.htm -- 2008-8-20 0:00:00
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正如2007版国际半导体技术蓝图（ITRS）所提到的，自动测试设备（ATE）所面临的最紧迫的技术挑战便是“促进良率提高的测试”——特别是对于90、65、45nm和未来工艺节点上的晶圆工艺和器件良率学习。分散在各个方面的技术难题正混合在一起，形成一…
http://article.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2008-08/200888120903.htm -- 2008-8-12 0:00:00
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半导体行业正在开发必要的缺陷量测和薄膜量测解决方案，但22 nm技术节点的监测还需开发新的成像套刻目标结构。 半导体制造商在向32 nm技术节点迈进时，面临着许多缺陷、薄膜和光刻量测方面的问题。光学缺陷检测工具不能完全检测到45 nm技…
http://article.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2008-08/200887115736.htm -- 2008-8-11 0:00:00
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近日，应用材料公司推出Applied Producer® eHARP™ 系统，为32纳米及更小工艺节点上关键的STI（浅沟槽隔离）器件结构提供已被生产验证的HARP SACVD®空隙填充技术。eHARP工艺能够提供无孔薄膜，用于填充小于30纳米、长宽比大于12:1的…
http://article.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2008-07/2008724112128.htm -- 2008-7-24 0:00:00
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http://article.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2008-06/200868114245.htm -- 2008-6-18 0:00:00
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飞思卡尔半导体公司的CTO Lisa Su介绍，该公司将在今年下半年之前，跳过65nm工艺代，完成网络芯片从90nm向45nm设计规则的直接转变。 自2007年1月成为以IBM为首的Fishkill联盟的成员以来，Freescale一直与Advanced Micro Devices（AMD）和 IBM Co…
http://article.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2008-06/200868114245.htm -- 2008-6-11 0:00:00
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飞思卡尔半导体公司的CTO Lisa Su介绍，该公司将在今年下半年之前，跳过65nm工艺代，完成网络芯片从90nm向45nm设计规则的直接转变。 自2007年1月成为以IBM为首的Fishkill联盟的成员以来，Freescale一直与Advanced Micro Devices（AMD）和 IBM Corp.一道开…
http://article.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2008-05/2008528104125.htm -- 2008-5-28 0:00:00
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全球电子设计创新领先企业Cadence设计系统公司，6日公布了一系列新的定制IC设计功能，帮助芯片制造商加快大型复杂设计的量产化，尤其是在65纳米及以下的高级节点工艺。这些经过实际生产证明对Virtuoso®技术的提升，进一步强化了Cadence用于降…
http://article.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2008-05/2008512112517.htm -- 2008-5-12 0:00:00
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台积电为了回应竞争对手，近日透露了更多关于32nm技术的细节，包括引入高k金属栅技术。上周，IBM及其联盟宣布在32nm节点将引入高k金属栅技术，并为客户提供代工服务。 而全球最大的代工厂商台积电目前为止却始终保持低调。“我们将在32nm节点引…
http://article.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2008-04/2008428101911.htm -- 2008-4-28 0:00:00
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2008年4月15日—全球电子设计创新领先企业Cadence设计系统公司(NASDAQ: CDNS)今天宣布授权Cadence® QRC Extraction和Virtuoso® Passive Component Designer使用于TSMC 65纳米工艺设计工具包(PDK). 这次新认证的技术提供了经过测试的、可靠的电感、…
http://article.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2008-04/2008416104952.htm -- 2008-4-16 0:00:00
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由英特尔公司和ST的存储器业务部门联合组成的闪存公司Numonyx，已证实将跨过一个节点，采用45nm制造工艺“以最快速度”推出相变存储器(PCM)。 在Numonyx的正式发布会上，首席执行官Brian Harrison确认目前以90nm技术制作样品的128-Mbit的器件——相变…
http://article.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2008-04/200848024752.htm -- 2008-4-8 0:00:00
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http://article.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2008-04/200844094956.htm -- 2008-4-7 0:00:00
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