盛美半导体设备（上海）有限公司日前在上海张江高科技园区正式成立，这家由海归人员创立的企业已经掌握了未来芯片生产所需的新一代生产技术，应用该技术的样机已被Intel和LSI Logic公司采用。 　　据盛美创始人、首席执行官王晖介绍，未来主流芯…

http://article.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2008-03/2008310084744.htm -- 2008-3-10 0:00:00

　　随着集成电路特征线宽缩小到90nm以下，通过栅极厚度、栅极介电常数及结深提高器件性能已经不能满足工艺的要求，即使栅极厚度控制在5个原子层，而结深也只有10nm。顺应开关速度的要求，高应力氮化硅技术已经被广泛的研究。伴随氮化硅在栅极…

http://article.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2008-01/2008130115700.htm -- 2008-2-1 0:00:00

　　我们综合考虑了45 nm节点工艺中的多种应力来源，讨论了一种用于处理版图依赖问题的方法，并且检验了混合取向技术（HOT）的潜力。 　　为了满足国际半导体技术蓝图（ITRS）制定的90nm以下CMOS器件的目标，应力工程已经成为提高晶体管性能的…

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Lasertec开始生产此前难以测定的带图案晶圆膜的应力的装置。以往测定时使用的激光会因图案而发生散射及衍射，无法正确测量膜的应力。此次，改进了包括激光器在内的光学系统、晶圆平台以及数据处理方法，因而可不受光的散射及衍射的影响。 　　 该…

http://article.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2007-11/20071126101549.htm -- 2007-11-26 0:00:00

　　E+H之量测仪使用多点电容非接触式传感器，可量测硅片的翘曲度及薄膜应力，并同时提供硅片的Thickness、FPD、TIR、Bow和Warp等相关量测资料，300mm 的应力测量仪MX2012主要特点有：用于CVD 和PVD应力的分析应用；人性化软件接口，快速轻…

http://article.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2007-03/2007311032302.htm -- 2007-3-13 0:00:00

E+H 之量测仪使用多点电容非接触式传感器，可量测硅片的翘曲度及薄膜应力，并同时提供硅片的Thickness、FPD、TIR、Bow和Warp 等相关量测资料，300mm的应力测量仪MX2012主要特点有：用于CVD 和PVD 应力的分析应用；人性化软件接口，快速轻松将…

http://article.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2007-03/200739043639.htm -- 2007-3-9 0:00:00

　　摘要 在高级CMOS器件中，高应力氮化硅（SiN）薄膜是增强应变的主要方法。如果要改善PMOS或NMOS器件性能，则分别需要采用具有压应力和张应力的氮化硅薄膜。我们对相关机理进行了回顾，根据不同的淀积和工艺处理条件的组合，从而得到了张…

http://article.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2006-05/2006511020216.htm -- 2006-5-12 0:00:00

　　使用带有提升式S/D结构的凹槽SiGe S/D 可以环节NBTI退化 　　虽然采用应力工程技术可以通过增强迁移率实现令人难以置信的性能增益，但也会引起器件的可靠性退化。尤其是还必须把负偏置温度不稳定性(NBTI)退化程度与要求实现的性能增益进行权衡…

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摘要:本文介绍一种全新设计的测试芯片，封装采用该芯片可以方便地确定在加速应力测试中产生的热-机械失效。在进行应力测试时，这种芯片与产品实际使用的有源芯片效果相同，但简化了对封装进行失效分析的流程。 　　在开发新型IC封装技术时，一个…

http://article.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2006-03/2006316055925.htm -- 2006-3-18 0:00:00

由于其卓越的性能，如热传导强、可弯曲以及在叠层封装中的应用，超薄半导体晶圆正受到越来越广泛的关注。按照目前的情况推测，在未来两年里，超薄晶圆的市场份额将从现在的5%提升到30%。然而，由于其脆性较强，在例如转移之类的关键工艺步骤则…

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　　摘要：随着超薄晶圆的广泛应用，其断裂强度成为晶圆使用过程中，日益受到关注的重要性能参数。最近的研究结果表明，与对硅片的背面腐蚀相结合，通过喷出的水柱作为激光波导的划片方法得到的晶圆比传统的机械锯划片法得到的晶圆断裂强度高很…

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　　半导体工业界已经接受应变硅作为一种改进器件性能和降低功耗的便宜有效的途径。拉伸性氮化物覆盖层已经在生产中被用于改进NMOS器件的性能，现在AMD和IBM的一个合作项目展示出如何在一个高性能CMOS工艺流程中结合拉伸性和压缩性应力氮…

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Enabling New Process Will Allow Chipmakers to Overcome Looming Speed/Power Barriers - With a High-Yielding, Easily Integrated, Germanium-Free Strained SOI Solution In a breakthrough that promises to extend strained silicon-on-insulator (sSOI) technology to a wide new range of advanced semiconductor applications…

http://article.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2004-10/20061121430494444e.htm -- 2004-10-14 0:00:00

The semiconductor industry's problems in successfully adopting copper (Cu) low-k processes for the next generation technology nodes took a major step toward a solution today when one of the world's largest IC manufacturers placed a purchase order for stress-free polishing process tool Ultra SFP from ACM Research, Inc. This c…

http://article.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2004-3/2006112143046b8086.htm -- 2004-3-3 0:00:00