据日经BP社报道，住友金属工业综合技术研究所在全球首次开发出从Si（硅）Ti（钛）等金属组成的高温熔液中制备SiC（碳化硅）单晶的熔液生长法，生长速度已接近实用水平。 　　SiC与Si相比，由于更加耐高压、耐高温，因此可制造小型高效的功率元件…

http://article.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2008-10/20081022020532.htm -- 2008-10-22 0:00:00

近日，由青岛杰生电气有限公司承担的国家863半导体照明工程重点项目氮化镓-MOCVD深紫外LED 材料生长设备制造取得重大突破，研制成功我国首台具有自主知识产权的、能够同时生长6片外延片的MOCVD设备。 　　据悉，该设备集精密机械、半导体材…

http://article.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2008-06/200863013309.htm -- 2008-6-3 0:00:00

天富热电经向控股子公司北京天科合达蓝光半导体有限公司询问关于碳化硅晶片项目的进展情况后，获悉该项目实际已安装碳化硅晶体生长炉13台，其中2007年9月30日后新安装的8台生长炉(北京研发中心2台，新疆生产基地6台)，目前已全部安装调试完毕，…

http://article.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2007-12/2007127035603.htm -- 2007-12-7 0:00:00

美国Kyma Technologies与美国北卡罗来纳州立大学的研究小组从c面GaN底板上切下m面，使其再生长，试制出了m面GaN底板。并在2007年9月16～21日于美国拉斯维加斯举行的“ICNS-7”上进行了发布。 　　GaN结晶m面是一种非极性面。所谓非极性面是指与Ga…

http://article.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2007-09/2007928095802.htm -- 2007-9-28 0:00:00

日前，由西安理工大学和北京有色金属研究总院承担的国家“863”计划项目“TDR-150型单晶炉(12英寸MCZ综合系统)” 在北京通过了验收，这标志着拥有自主知识产权和核心技术的大尺寸集成电路与太阳能用硅单晶生长设备在我国研制成功。验收专家组评价TD…

http://article.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2007-08/200783112650.htm -- 2007-8-3 0:00:00

中国高新技术产业导报消息，近日，晶龙集团阳光半导体设备有限公司生产的CZ-80A晶体生长设备被国家发改委列入国家高技术产业发展项目计划及国家资金补助计划，获得国家补助资金450万元及河北省配套资金80万元。 据介绍，CZ-80A型晶体生长设备是…

http://article.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2007-02/200726014233.htm -- 2007-2-6 0:00:00

法国Soitec集团旗下的法国Picogiga International公司开始供应GaN外延生长用SopSiC底板样品。SopSiC底板在保持与原有单结晶SiC底板相接近的导热率条件下，能够降低成本。SopSiC底板样品目前包括直径3英寸和4英寸2种。6英寸产品也在开发中。 　　GaN外…

http://article.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2007-02/200722111304.htm -- 2007-2-2 0:00:00

日本Shimei Semiconductor开发出了一种在硅晶圆上生长的蓝光LED，并计划于明年四月上市。 该公司声称，把硅晶圆作为GaN外延附生的基板，可以显著降低成本、简化LED结构、延长寿命，以及使光学器件能够集成在CMOS电路上面。 原型LED发出450纳米的…

http://article.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2006-11/20061117102447.htm -- 2006-11-17 0:00:00

据报道,Lam Research Corp.近期签署了最终协议，将以大约1.75亿美元现金收购Bullen Ultrasonics的硅晶生长和制造资产。Bullen Ultrasonics是一家非上市半导体、航天、汽车及其他行业的精密仪器供应商。 根据协议，收购将于收购将在未来30-45天内完成。随着收购…

http://article.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2006-10/20061012103212.htm -- 2006-10-12 0:00:00

RTP-Grown Oxynitride Layers Meet Gate ChallengesAt a GlanceRTP oxynitride layers grown in an NH3 ambient are found to be very attractive gate dielectric candidates for the 100 and 90 nm technology nodes, and may also serve as an interfacial layer between the high-k gate dielectric and silicon surface for 65 nm technology and b…

http://article.sichinamag.comhttp://article.sichinamag.com/2004-10/2006112143049891a4.htm -- 2004-10-29 0:00:00