IMEC联合JSR通过一次刻蚀步骤简化工艺流程，缩减了双重图形（DP）光刻技术的成本。DP被认为是32nm节点光刻最主要的候选方案，但两次曝光/刻蚀显得异常昂贵且低速。IMEC通过消除中间刻蚀步骤，降低用户拥有成本。消除额外的刻蚀步骤通过在第一次曝光后有效地凝固光刻胶，线条和间隔（L/S）采用两次曝光/单次刻蚀工艺，借此IMEC演示了32nm逻辑器件的图形。凝固材料由JSR公司开发，用于防止光刻胶膨胀或收缩。当第二层光刻胶涂布时，它们将不会发生交互反应。凝固材料与光刻工具相兼容。IMEC目前正在将该工艺引入新安装的1.35NA浸没式光刻机中，以研究其在32nm更高节点（如22nm）的工艺表现。