在基板的core中嵌入芯片可以将芯片上的引脚几乎扩展到电路板层次，可以帮助克服性能瓶颈，因为采用这种技术之后，从芯片到电路板的互连距离相对变得更短，可以提高信号质量以及电源噪声性能。
倒装芯片技术，在二十世纪60年代早期由IBM公司（纽约州Yorktown Heights）发明，并不是一种具体的封装或者封装类型，而是一种将芯片和载体（基板或者引线框架）进行电连接的方法。对应载体充当芯片和外部系统（典型代表是PCB）间插接头的角色。在标准封装中，首先将芯片以正面朝上（有源电路朝上）的方式粘在载体上，然后使用引线将芯片外围的焊盘与载体连接起来。引线的典型长度为1-5 mm，典型直径为0.8-1.3 mil。对于需要多个GHz的速度以及需要从电源得到即时电流的应用来说，引线键合的高阻抗以及损耗特性将会限制系统的整体性能。对比而言，使用倒装芯片技术，芯片以正面朝下的方式组装在载体上。在倒装芯片应用中连接到载体的焊盘使用导电凸点，典型高度只有70-100μm，直径为100-125μm。
倒装芯片球栅阵列封装
普通的引脚数较少的倒装芯片球栅阵列（FCBGA）封装使用层压基板作为载体，而
且载体的整体结构与引线键合芯片的载体相似。基板一般有2到6层，由金属和介质交替叠加构成。采用机械方式钻出通孔实现基板中不同层的连接。通孔占据了载体上宝贵的布线空间，因而这种载体类型只适合于引脚数目较少的应用。
对引脚更多、性能要求更高的应用来说，基板由
内核与叠加的介质和金属层（6-14层金属）构成。典型的基板制造过程是首先使用2或4层铜包覆的内核，之后刻蚀对应铜层，获得所需的电连接图形。接着在厚内核上叠加一系列介质和金属层。在该载体的一面使用倒装芯片技术连接一个芯片，另一面上制作焊球形成载体与PCB的连接。为提高布线效率，使用盲孔和埋孔代替通孔。穿透内核的通孔通过机械钻孔完成，而穿透组合层的通孔则通过激光钻蚀技术获得。图1所示为典型的高性能FCBGA封装剖面示意图。
FCBGA封装可以提供很多优势，包括：
■ 在更小芯片上实现更多功能—芯片上全部表面积都可用于放置芯片凸点，实现与载体的连接，解决了引线键合只能在芯片四周放置焊盘的缺点。
■ 提高电源噪声性能—由于芯片与载体间的互连长度有一个数量级的降低，因而环路寄生电感显著减小。而且电源可以直接供应到对应电路，不像引线键合封装那样首先将电源引到芯片边缘，而后再到达对应电路核或者I/O电路。
■ 更好的信号完整性—在高速开关应用中，引线键合的高阻抗特性会引起阻抗不连续，降低信号完整性；另外还存在很严重的信号串扰问题。而在倒装芯片互连中显著削弱了这些现象，获得可控的阻抗线和更小的信号串扰。
■ 更小的封装面积—与引线键合封装不同，FCBGA封装不需要保留与载体连接的外部面积，因而有潜力降低封装尺寸。
每个信号和电源从芯片到PCB的连接，在互连路径上都有大的内核通孔。这种通孔用于连接上下层的内核（典型为两层内核），一般通过机械钻孔实现。内核的厚度范围在400到800μm。尽管FCBGA封装具有很多优点，但通过去除互连路径上的内核通孔，还可以进一步提高其电学性能。在基板内核中嵌入芯片，可以去除互连路径上较大的内核通孔，使芯片与PCB在电学上距离更近。这一技术将在后续部分详细讨论。
嵌入有源芯片技术
与引线键合封装中将芯片粘在基板的顶部不同，这次芯片被嵌入到基板内核中，在内核的一面叠加介质和金属层（图2）。这种在一面进行加层的工艺，几乎将芯片的终端都转移到电路板级，且以理论上最短的路径将芯片连接到PCB。取消了每个信号和电源连接路径上的内核通孔，因此显著提高了电学性能。封装的总体厚度至少降低了400-800μm，这对那些需要更小Z向尺寸的应用来说非常重要。
实现这一技术的工艺流程与一般高性能倒装芯片封装基本一致，只需一些地方有所修改。首先在介质内核上制作一个比倒装芯片约大50μm的空腔，接着将芯片及内核介质层粘结到铜固化剂上。固化剂的作用有两个，一是给整个封装提供机械稳定性，一是获得更好的散热性能。然后在芯片暴露的一面加介质材料，使用激光钻蚀技术制作通孔，实现与芯片焊盘的连接，消除了传统方式下制作焊接凸点的步骤。接下来，使用化学镀铜方法在介质层上完成所需的导电图形。重复这种导电层和介质层交替的步骤，直至完成所有需要的连接。
性能提升
相对FCBGA而言，这种嵌入有源芯片的封装可以提高信号完整性、散热性能，并降低电源噪声。
信号集成（串扰）性能—本质上讲，从攻击（aggressor）引脚到受害（victim）引脚的串扰噪声是电感性的，主要由受害信号回路与攻击信号回路的交叠引起。回路交叠的面积越大，对应串扰噪声也越严重。与嵌入有源芯片型封