联电布局记忆体进度迈前一步，目前90纳米与65纳米嵌入式快闪记忆体（e-Flash）制程，正依客户需求全速进行开发中，其中应用于手机上的Commodity NOR式快闪记忆体在0.13微米制程世代已进入量产，90纳米世代的制程则在开发当中，预计明年第一季进入量产。
晶圆代工龙头台积电第一季法说宣布退出DRAM代工，但为稳固先进制程市场，在嵌入式记忆体投入的研发资源不手软。台积电去年8月就宣布0.13微米嵌入式快闪记忆体制程已通过认证并开始量产，以联电目前进度来看，业界推估约落后大哥两季左右进度。
台积电、联电将分别于31日与30日举行第二季法说会，市场聚焦下半年与明年半导体展望。台积16日除权息后连续三个交易日，外资累计买超4,519张。联电16日宣布高层调整案后的连续三个交易日，外资也买超1,441张。台积电昨天上涨1.8元，收59.8元，联电以15.85元、上涨0.55元收盘。
依联电96年年报显示，公司在嵌入式快闪记忆体（e-Flash）制程，已完成一项兼具高密度，低成本，且与逻辑制程相容的创新嵌入式记忆体矽智财（IP）开发与认证，以取代传统的嵌入式动态随机存取记忆体（e
mbedded DRAM），此记忆体单元的尺寸是嵌入式六晶体静态随机存取记忆体（embedded 6T-SRAM）的四分之一到五分之一，且其巨集面积约比静态随机存取记忆体（SRAM）小二分之一到三分之一，这使得对晶片面积的利用更有效率且更具弹性。
联电指出，由于最佳化记忆体解决方案是今日系统单晶片（SoC）产品成功与否的决定性因素，公司嵌入式六晶体静态存取式记忆体（embedded 6T-SRAM），以其领先业界的最小面积及性能，并成为该公司为65纳米及45纳米制程世代的标准SoC解决方案的一部分。
目前高密度六晶体静态随机存取式记忆体（6T-SRAM）良率已高过90%，提升至成熟制程的水准。
此外，另一项利用均匀通道Fowler Nordheim（UCFN）穿透操作模式（tunneling mode of operation）的嵌入式快闪记忆体（e-Flash）解决方案，该记忆体单元不但表现出极为强健的可靠性能，达到0.18微米制程车用电子应用产品极高品质规格的要求，且联华电子的0.13微米制程整合了嵌入式快闪记忆体（e-Flash）的可程式化逻辑闸阵列（FPGA）产品也已进展至最终送样阶段。