针对38nm存储器和32nm逻辑芯片产品的量产化制造，荷兰光刻巨头ASML日前展示了其Twinscan XT:1950i光刻系统，采用1.35NA（数值孔径）的镜头，通过提高套刻精度、分辨率和生产能力，该浸没式光刻系统的整体性能提升了25%。
ASML表示，Twinscan XT:1950i作为业界第一台适用于38nm节点高量产制造的单次曝光浸没式光刻系统，与其上代产品Twinscan XT:1900i相比，可使晶圆有效面积提高10%。
由于获得更大的可用晶圆面积，ASML表示，XT:1950i使得产能提升了15%，处理速度达到148片/小时。
为了跟随摩尔定律，快速和具有成本效益的研发需要高量产的浸没式光刻设备，ASML市场和技术部执行副总Martin van den Brink表示，“CD线宽不断紧缩，以提高DRAM和NAND存储器容量和多媒体应用功能，并驱动逻辑芯片更先进的集成技术和不断增强的功能化，例如计算机芯片和数字信号处理器DSP产品等。”
同时，为了提高现有的浸没式光刻设备的性能，如XT:1700i和XT:1900i，ASML将于2009年第一季度推出其升级
包，计划提高套刻精度分别为14%和17%，产能提升4%和7%，这将帮助半导体制造商优化其投资，提高设备竞争力和价值。
ASML表示，Twinscan系列光刻机将不断改进，在成像质量、产能、套刻精度和CD一致性控制上更加优化，这一系列产品采用通用的模块化平台，使得后代的产品能很好继承前代一些特性。
ASML表示，XT:1950i将于2009年 Q1开始发货，届时将与其半导体伙伴紧密合作进行早期的工艺开发。