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罗门哈斯浸没式光刻材料研发设施投入使用

   2008-07-10   点击:809

罗门哈斯电子材料日前宣布建立新的浸没式光刻实验室设施,以支持电子材料的研发,包括光刻胶抗反射涂层顶部涂层

Celebrating the opening were (left to right): Kathleen O'Connell, associate director of R&D, Microelectronic Technologies; Julie Planchet, general manager, North America and Europe, Microelectronic Technologies; Yi Hyon Paik, vice president and business group director, Rohm and Haas Electronic Materials; Jim Fahey, vice president and business unit director, Microelectronic Technologies; and Arthur Vigeant, president of the
Marlborough City Council.

该公司投资6千万美元建立了新的设施,位于其Marlborough的先进技术中心(ATC),安装了ASML Twinscan XT:1900Gi 193nm光刻扫描机、300mm涂胶显影机和缺陷检测及量测设备。

Rohm and Haas installed an immersion scanner, track and metrology tools in the lithography R&D center.

罗门哈斯微电子技术集团总裁Jim Fahey表示,“目前这个研发中心拥有与先进客户使用的
相同的设备,使得我们能够与客户同步,优化材料以满足客户对45nm及更高节点的要求。”

在2003年罗门哈斯曾投资了3千万美元的设施,这次6千万美元的设施投资是在其基础上新增投资。

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