据日经BP社报道，日本东芝公司5月30日公开了两种在前工序封装MEMS元件的技术。因可在晶圆级进行成批处理，降低了一直视为MEMS元件制作难题的封装成本。该公司还堆叠以该封装技术制成的MEMS元件和驱动器IC，试制出了0.8mm厚的多芯片封装（MCP）。该公司介绍，0.8mm厚的MCP为全球最薄。
在MEMS元件制造中，比之MEMS本身，封装更能决定产品的竞争力。首先，MEMS元件包含驱动部分，因此不能直接采用与半导体元件相同的树脂封装技术。其次，元件涉及的要素有加速度、压力、风量、光、声、高频及流体等广泛领域，因此必须针对每一元件开发封装方法。有时，封装及测试所需的成本会占到整个MEMS元件成本的70～80％。如果能够以晶圆级进行测试及封装，便可降低封装及测试的成本。
此次发布的是在接近大气压状态下抑制水分浸入的“实压气密方式”封装，和在真空状态下的“真空气密方式”封装。适用于在堆叠于硅底板的薄膜上形成可动元件的表面微加工。表面微加工是在牺牲层上形成驱动元件之后，去除牺牲层从而使驱动元件成为中空结构的技术。此次，牺牲层蚀刻采用了气体蚀刻方法。
实压气密方式的
具体做法是：在制作MEMS元件驱动部分的中空结构时，在覆盖于牺牲层上的二氧化硅（SiO2）层上预先开出多个孔，通过这些孔去除牺牲层之后，用树脂封装孔（图1）。此次开发的关键点在于通过优化孔的直径、形状、间隔，在提高牺牲层蚀刻效率的同时，防止封装用树脂的流入。例如，如果加大孔的直径，虽然牺牲层蚀刻的速度会加快，但封装用树脂则有可能从孔中进入中空结构内。此外，在用树脂进行封装之后，通过以CVD形成无机薄膜，从而实现了相当高的水密性。
另一方面，真空气密方式则将封装结构的外形制成波型，从而实现了大气压力也压不坏的坚固结构。而且，通过将牺牲层蚀刻用孔的形状制成椭圆形，比通常的圆形降低了制造时施加的应力。另外，为了加强封装结构的机械强度，在封装部位的上部层积了树脂。