在工艺技术领域，2008年有两项主要的技术挑战：一是开发用于193 nm浸没式光刻的两次成像技术，该方案是能够及时用于32 nm技术的唯一选择；另一个是进一步优化高k和金属栅技术，这样该项技术就可从45 nm移植到32 nm技术节点。在封装领域，2008年R&D将会聚焦于3-D叠层技术，更具体的说是将合适的3-D设计方法与算法进行衔接。由于不用采用更精细的工艺就可以实现更小的外形尺寸和更高的密度，3-D技术对工业界来讲非常重要。最后，2008年设计领域的最大挑战仍然是缩小技术和设计之间的裂缝。
引入和采用新技术相关的R&D费用和风险都在日渐上升，因此研发合作仍然很重要。新的趋势是代工厂加入到R&D阵营。由于越来越多的公司都倾向于从富晶圆厂转向轻晶圆厂模式，就需要代工厂去尝试那些更有挑战性的技术。基于上述原因，代工厂和设备以及材料供应商都比以往更加需要低成本的研发支持。IDM还可继续受益于合作研究，但主要是为了更好地聚焦于设计问题而了解最新的技术内幕信息。