据日经BP社报道，东电电子（TEL）开始受理能够在更大温度范围内进行钛成膜的CVD（化学气相沉积）装置订单。除了现有工艺水平的LSI之外，还可用于加工温度趋于降低的新一代逻辑LSI及存储器的量产。存储器方面，“支持5X～4Xnm工艺的DRAM及3X～2Xnm工艺的闪存”。
该装置可在约400℃～约600℃的温度下形成源漏电极及栅极电极的触点使用的钛膜。东电电子以前分别制造成膜温度范围约400℃～约500℃的钛成膜CVD装置以及成膜温度约为600℃的装置。今后将主要通过改进喷头，使同一装置涵盖这两个成膜温度范围。另外，该装置还可抑制颗粒的产生，与原机型相比“能够降低装置的维护频率”。