日前，台积电（TSMC)在其2008年技术论坛会议上，简要描述了该公司光刻线路图（Lithography Roadmap)，作为计划的一部分，TSMC对极紫外光刻技术进行了新的评估，并将其纳入光刻线路图。
目前，对于45纳米节点工艺的有限量产，TSMC采用193nm的浸没式光刻技术，光刻系统的数值孔径NA为1.2。TSMC表示，该光刻机来自其主要光刻合作伙伴ASML。
采用NA为1.35的193nm浸没式光刻机，配以双重图形技术，TSMC认为可以将晶圆工艺延伸至32nm节点，甚至可达22nm节点。该公司计划于2009年晚些时候进入32nm量产，而22nm暂定于2011年。
对于15nm或22nm技术节点，TSMC同时将EUV和无掩膜光刻技术纳入其线路图。几年前，TSMC已经对无掩膜光刻产生兴趣，并于最近从Mapper Lithography公司购入了相关设备。
但至少到目前为止，TSMC对于EUV光刻技术表现的相当冷淡。就像其他芯片制造商一样，该公司同样对EUV的绝对成本和技术障碍表示担心。该公司的光刻合作伙伴ASML希望，于2009年末发货一套试生产的EUV设备。