南韩半导体制造商Hynix Semiconductor Inc. 周二表示，计划第 3季关闭NAND快闪记忆 体 (flash)一生产线以降低产能，并将12吋生产线量产 时间由第2季延后到第3季。
Hynix 发言人Shi Hyun Lee表示：“由于全球NAND 市况低迷， M11生产线的投资将延后。”她预估，关厂和延后生产可能降低全球今年供给5%。
Hynix 是全球第 3大NAND制造商，营收落后于Samsung Electronics Co.(005930-KR)和Toshiba Corp. (6502-JP)。NAND占 Hynix营收比重约40%。
Meritz Securities 分析师 Lee Sun-Tae表示：“ 这对NAND市场和其对手都是好消息。对 Hynix来说，市占率将下滑。”
Hynix 原计划第 2季以M11 12吋晶圆开始量产NAND 晶片，每月产量逐步提高至生产13万片12吋晶圆。将在 第 3季关闭的M9生产线，在2007年底每月产能为15万片 8吋晶圆，但今年第 1季已降至每月12万片。
Samsung Electronics 发言人
James Chung对媒体 询问是否会跟进调整NAND晶片产能时，不愿表示意见。
由于NAND的需求低于预期，自2007年底以来一路走低，目前仍在历史低点附近徘徊。