高电介质材料意味着向轮廓、选择性以及残留物控制的挑战,比较低温工艺这种挑战要求的工艺窗口更宽。运用应用材料公司在高电介质材料刻蚀多年的经验,Carina刻蚀系统扩展了的工艺窗口,能够同时满足高电介质材料刻蚀从前所必须但相互制约的各种要求。特征轮廓流畅地扩展至高电介质各层面中-衬底界面无底角残留,源漏区域无过度刻蚀,表面无高电介质残留物。Carina 的高温工艺清除了晶体管微缩到45 纳米以下的障碍,开启了通往当今材料所无可企及的技术之门。