该系统为适用于300 毫米、超低能量的高电流离子注入设备，能满足业界对65/45 纳米等先进半导体制造中超浅结源、漏极离子注入工艺的需求。采用经量产实证的传统粒子流技术，低风险，易于现有工艺集成。独特的双模注入技术，可控制粒子束形态，满足客户对高端晶体管和器件结构设计的灵活性要求，对工艺性能及生产性的优化可以有效的控制设备运行成本。
