秉承《半导体国际》系列研讨会一贯的技术性、互动性、针对性强的特点，2008年我们将继续与您分享半导体制造领域的先进技术和研发、生产经验。
《半导体国际》第四届成品率提升研讨会
主题：深亚微米时代的工艺和成品率控制
当晶体管的密度和速度随着人们对器件性能的需求而不断提升时，深亚微米时代，半导体工艺制造对成品率显得更加的敏感。工艺设备和各种检测设备推陈出新，在提高生产效率的同时，成品率的提升也成了关键，而不断引入的新材料对成品率的影响也日益明显，如何在技术的演变和革新中维持高的成品率？
《半导体国际》第四届成品率提升研讨会将把主题定位于深亚微米时代的工艺和成品率控制，将目光集中于半导体制造过程中提升成品率的各个工艺步骤、在线检测和一些综合的成品率提升手段。
本次研讨会的内容将涉及，但不限于：
1． 工艺控制对器件成品率的提升（包括扩散、离子注入、光刻、CMP、薄膜、互连等各个工艺环节。）；
2． 在线检测手段的提升和应用；
3． 新材料的引入和整合对成品率提升的影响；
4． 成品率提升的系统管理。
时间：2008年05月29日
形式：网络直播
听众：晶圆厂、设备材料供应商相关领域经理人和工程师
语言：中文、英文皆可
详情请进入：http://webcast.sichinamag.com/1/Content.aspx
《半导体国际》互连技术研讨会2008
主题：步入深亚微米的互连技术
半导体产业发展至今，大部分时间内Al互连技术都扮演了极为重要的角色，铝材料和SiO2一直作为制造集成电路中的微连线或配线；0.13微米以下的设计标准中，采用铝微连线制造的器件开始在可靠性方面出现问题，铜互连工艺应运而生。基于双大马士革的Cu工艺、高/低K介质材料等已成为业界热门话题，进一步改善互连性能的需求，推动今后互连技术的发展。
集成电路技术的进一步发展对互连性能提出更高的要求，不仅要求材料方面的进一步
改进，还要求在互连的结构和设计方面进行革新，这些要求将加快互连技术的发展速度，使得各种新型互连技术趋于成熟，取代目前Al互连技术的主导地位。同时，在现有Al制程中通过工艺优化改善互连可靠性以提升成品率。《半导体国际》2008互连技术研讨会将邀请业内知名专家，与您共同探讨互连技术的发展与实际解决方案。
内容可以涉及（但不限于）：
1. 集成电路互连技术的发展趋势、应用以及挑战;
2. 互连结构的设计
3. Al/Cu制程互连工艺的实际案例分析（包括刻蚀、电镀、CMP等工艺点）;
4. 新型材料的应用及对互连可靠性的影响
5. 新型互连工艺的研发及应用
时间：待定
地点：上海龙东商务酒店
听众：晶圆厂、设备材料供应商相关领域经理人和工程师
语言：中文、英文皆可
《半导体国际》第五届晶圆清洗技术研讨会
主题：深亚微米时代清洗技术之应用和挑战
在标准的IC制造工艺中，涉及晶圆清洗和表面预处理的工艺步骤就有100多步，在整个IC制造的发展过程中，湿法清洗一直以来在晶圆清洗中占着主导地位，其中浸泡式（批处理）和喷雾式（单晶圆）目前被广泛应用于半导体制造。近年来，人们对一些新型的晶圆清洗方法展开了研究，在90nm和更低节点的工艺中，已经开发了不同的晶圆清洗的化学物质和超临界清洗，包括湿法清洗、干法清洗和超临界流体清洗在内的各种清洗方法都获得了重要的发展。
《半导体国际》第五届清洗技术研讨会定位于深亚微米时代清洗技术之应用和挑战，将实用性和前瞻性作为本次研讨会的主要宗旨，本次研讨会的内容涉及，但不限于：
1． 前道清洗工艺控制（包括栅刻蚀后清洗，光刻胶的剥离/灰化等）
2． 后道清洗工艺控制（包括金属层、互连层工艺以及凸点工艺中的清洗等）
3． 清洗缺陷率的控制和降低
4． 新型清洗材料的开发和应用
5． 新材料（低k/高k等）、新器件结构对清洗的影响及其解决方案
时间：2008年08月06日
地点：上海龙东商务酒店
听众：晶圆厂、设备材料供应商相关领域经理人和工程师
语言：中文、英文皆可
《半导体国际》第二届封装与材料技术研讨会
主题：高密度封装技术之工艺应用和可靠性
封装在半导体制造链中的比重越来越大，从传统的引脚封装、焊线工艺至晶圆制造后段的TSV、WLP，以及MEMS工艺，封装延伸其工艺范围的同时，正沿着高密度、细微化和高性能方向前进，封装尺寸愈来愈小，而封装工艺的可制造性、成品率、产品的可靠性、新材料的研发和应用等都最终影响器件的性能。从设计、封装到失效分析和测试，封装工艺所涉及的各个环节结合的更加紧密，也将成为封测厂和工程师所关注的焦点。2008年09月，《半
导体国际》第二届封装与材料技术研讨会，将邀请国内外领先封测厂商以及设备材料供应商，与您分享先进封装工艺和技术的发展趋势、应用和案例分析，共同关注中国半导体封装产业。
主要探讨内容:
1. 半导体封装设计流程和模拟分析；
2. 先进/新型封装工艺技术的研发和应用（BGA、Flip-Chip、WLP、PoP、CSP等）；
3. 封装工艺过程中具体的案例分析（晶圆减薄、贴片至键合、封装等各个工艺点皆可）；
4. 先进封装工艺中的技术应用和工艺分析（凸点及UBM、光刻和刻蚀、TSV等工艺的应用）；
5. 封装材料的应用和对可靠性影响，以及新材料的研发；
6. 封装工艺的可靠性和失效分析；
7. 测试技术的应用以及具体案例分析。
时间：2008年09月25日
地点：上海龙东商务酒店
听众：封测厂、设备材料供应商相关领域经理人和工程师
语言：中文、英文皆可
《半导体国际》第四届光刻技术研讨会
主题：深亚微米时代光刻技术之应用和展望
随着光刻技术由i-line向DUV转移，光刻技术向前发展的步伐从来没有停止过，同时推动了与之相配套的光源、曝光系统、光刻胶等重要设备、材料的发展。目前，光刻面临着诸如越来越复杂的OPC/RET、CD的控制、浸没式光刻缺陷的管理等等难题。业内专家都在积极地探索各种解决方案，旨在将最为先进的光刻技术应用于实际量产。
当中国的半导体制造技术开始向65nm、45nm乃至更先进的技术挑战时，《半导体国际》将第四届光刻技术研讨会定位于深亚微米时代光刻技术之应用和展望，邀请国内外知名公司及其专家共同探讨光刻技术的现状和发展趋势。
本次研讨会的内容涉及，但不限于：
1． 掩膜版的制造和设计
2． OPC/RET的设计应用和面临的挑战
3． EDA工具在光刻技术的应用和推动
4． 光刻工艺控制；
5． 光刻工艺中的检测和测量，包括CD检测、Overlay检测等；
6． 光刻材料的发展和应用
7． 浸没式光刻的开发和应用
时间：2008年10月29日
地点：上海龙东商务酒店
听众：晶圆厂、设备材料供应商相关领域经理人和工程师
语言：中文、英文皆可
过往系列研讨会回顾：
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