东京电子（TEL）日前正式加入Sematech 3-D互连研发计划。
在加入3-D互连研发计划之前，TEL曾参与Sematech 3D通孔硅（through-silicon vias，TSVs）的早期开发工作，包括深反应离子刻蚀、成本模型及技术蓝图设计等。
东京电子美国公司技术中心副总裁Masayuki Tomoyasu表示，随着器件尺寸不断缩小，终端电子产品更加多样化，3D互连将成为不可或缺的技术。
Sematech 3D项目总管Sitaram Arkalgud表示，为实现3D互连技术，我们需要业界的广泛合作，TEL在前段与后段工艺方面拥有丰富的经验，它的加盟使我们计划向前迈进了一大步。Sematech研发计划目标在于将成本、功能、性能与功率消耗完美结合情况下，实现3D通孔硅芯片的高量产，
; 当量产目标实现后，3D TSV技术将为CMOS制程提供颇具成本效益的解决方案，并最终将CMOS芯片与新兴技术结合起来，比如MEMS与生物芯片等，他补充道。