由《半导体国际》主办的“第四届晶圆清洗研讨会”8月9日在上海圆满闭幕。会议吸引了200多名国内知名晶圆厂经理人和工程师，另外，TFT-LCD制造厂的工程师也积极参与了本次研讨会。针对制造工艺中的清洗案例和解决方案，晶圆厂和设备材料供应商的专家及经理人就单晶圆清洗、兆声波清洗、喷淋法、浸泡法等各种清洗技术的应用等话题，与听众进行了热烈的互动。
设备材料商分别介绍了各自的技术优势。SEZ亚太区技术营销经理洪连发介绍了铜工艺后段清洗解决方案。来自Crest Ultrasonics的R. Nagarajan博士指出，兆声清洗可以清除亚微米的污染且不会出现超声清洗因成穴诱生的蚀损斑；通过图表比较430KHz的振荡频率，MSI 470KHz可达到更一致的清洗效果，而多重萃取法可同时量化清洗效率和潜在的侵蚀现象。
ECI Technology大中国区业务拓展经理Chenting Lin指出了目前一些In-Situ监控方法的局限性，而超低噪音的NIR分析法可以探测高稀释溶液光谱变化，采用的多通道技术可吸收多个组分光谱，并解析多个方程式以得到准确的结果。Entegris液体微
污染控制部门的全球产品支持经理陈柏嘉指出，为了更好的清洗表面和避免污染，必须要使用高流量和高过滤效率的过滤器。
FSI国际东南亚和大中华区应用经理楚明茂指出，如何满足客户在技术与制程的支持、制造成本和产品质量的要求也是重要的课题，而IC制造过程中的光刻胶去除已经成为业界的挑战。SACHEM业务拓展部经理Russell Stevens表示，通过实验，采用新型的非水溶媒的混合化学溶液对于掺杂和非掺杂氧化物膜来说，都被证明有较好的处理效果。
瑞士SWAN公司亚太区总经理Lukas Staub认为，为获得可靠的准确的检测报告，需要获得工艺参数值、采样流体的速度和温度，另外传感器电极的检查以及反应剂和电解液的使用情况也将影响检测结果。Semitool东南亚区制程经理Timothy Stolt指出了传统的Wet Batch工艺方法在300mm应用的一些不足，通过采用不同于传统Wet Bench的清洗液配比，结合臭氧和兆声清洗等，从而发挥出单晶圆清洗制程的最大效益。
来自应用端的经验更让现场听众受益匪浅。华虹NEC湿法在线部Fab1工程3部经理柯炼认为，药液的刻蚀作用会改变CD的测试波形，由于处理时间短，单片式机台的刻蚀作用小；为减小刻蚀作用，在工艺条件上可追加干燥程序，而在设备相关管路中增加监控系统可降低机台不稳定导致CD测试波形变化的可能性。宏力半导体孙震海博士指出，干的wafe表面和湿的wafe表面相比较，干表面wafer上的微粒形成压力梯度，更有利于晶圆表面微粒的去除。中芯国际扩散与湿法清洗部门经理朴松源认为，LDD离子注入PR去除后工艺正变得越来越重要，在满足COO和产能前提下，根据缺陷、材料损失、周期时间的减少等方面的表现，在单晶圆全湿法PR去除清洗工艺中评估结果表现良好，但器件性能的认证将要继续深入研究。
如何面对晶圆越来越苛刻的表面质量要求并提升成品率，将是众多晶圆制造厂的经理人和工程师面对的课题，《半导体国际》正被越来越多的工程师视为分享经验和先进技术的理想平台。
更多第四届晶圆清洗研讨会相关视频及演讲文档请访问：
http://www.sichinamag.com