“理论上k的最小值是1，空气就是终极低k材料，这使得air gap（空气隙）成为每个互连研究人员的梦想。但是它们会成为一个美梦还是梦魇，将取决于它们在实际应用中的行为和可靠性。”这是IMEC的Ludo Deferm在2005年三月刊的Semiconductor International上做的评论，他准确地描述了air gap的处境。
在过去的几个月内，关于air gap的讨论成为关注的焦点。原因是IBM在五月初宣布他们利用air gap来制造芯片的研究取得重大突破，结果表明，与传统技术相比，信号速度提高了35%，同时功耗降低了15%。“air gap”这个称呼并不十分恰当，因为gap实际上是没有空气的真空。而普通的空气必然包含湿气，可能会导致周围铜导线的腐蚀和退化。
在五月末举办的微处理器论坛（Microprocessor Forum）上，Intel的高级院士、工艺架构和集成主管Mark Bohr发表主题演讲，表示并不看好air gap技术。他断言：“互连的成本和可靠性问题是极其关键的，我不认为air gap能解决这些问题。我们正在探寻现有电介质的低k版本——我认为这比ai
r gap技术更有前途。”
在六月的国际互连技术会议（International Interconnect Technology Conference，IITC）上，air gap技术的优缺点成为讨论的焦点。IBM的院士、air gap项目首席科学家Dan Edelstein，在Applied Materials公司主办的专题研讨会上回应了Bohr的评论，他说相关的成本并没有想象中的那么高，因为它只被应用于最关键的层中。此外，虽然在早先宣布时强调“自组装”方法，但实际上用两层简单便宜的掩膜版也可以制造出air gap。
用于互连的air gap，和一种用于制造具有最低寄生电容的晶体管、被称作“Silicon on Nothing（SoN）”的类似技术，已经被正式研究了至少6年。不过IBM宣称正在将air gap投入生产，这是非常显著的进步——领先于目前已被证实的技术。IBM声称自组装工艺已被集成到该公司位于East Fishkill的先进生产线上，并预计在2009年完全并入IBM的芯片生产线中。这些芯片将被用于IBM的服务器产品线，然后用于IBM为其它公司制造的芯片。
IBM将“自组装”工艺比作海贝、雪花和牙釉质等自然的图案形成过程，这种工艺能够实现形成gap所需的纳米图案。“这是人们首次证明能够合成大量的自组装聚合物，并将它们集成到现有制造工艺中，而且还能保持足够高的成品率。”Edelstein说：“通过将自组装技术从实验室转移到fab，我们能够制造出的芯片，比现有材料和设计结构所允许的芯片更小、更快和功耗更低。”
这种专利工艺为化合物以直接的方式进行组装提供了合适的环境，能够在整个300mm硅片上制作出数以十亿计的均匀的20nm空洞。在形成空洞之后，再移除碳硅酸盐玻璃，就能在导线之间产生真空。
在我们的姐妹出版物Electronic News上的一篇评论中，IBM系统和技术事业群的副主席兼首席技术专家Bernie Meyerson这样来解释这种工艺：“air gap是可行的。它已被用于制造真正的微处理器，而不只是几块样品芯片。有趣的是它并不需要依靠光刻来定义图案——这是可想象得到的最贵的芯片制造方法。air gap实际上是建立在纳米技术，或更明确地说是自组装的基础之上。自组装还未被很好地了解，许多公司（包括英特尔）在该领域都不擅长。自组装以材料偏析为基础。我们发明了一种聚合物，如果对它进行适当地加热，就会偏析成两种化学性质不同的材料。这些从聚合物偏析出来的材料会形成非常均匀的、约有100个原子那么大的结块。这些结块具有与剩下的基质完全不同的化学成分。它们相互排斥，因此可以获得由它们组成的完美对称阵列。然后用一种刻蚀剂选择性地只刻蚀掉这些结块，就可以制作出世界上最精美的瑞士硬干酪。”