据EE Times网站报道，Applied Materials Inc.日前推出了新款面向45nm和32nm节点先进低k栅极技术的Producer BLOk II PECVD系统。
据悉，该款设备能够与超低k电介质材料配合使用，比如Applied Materials公司的“Black Diamond（黑钻）”薄膜。BLOk II栅极薄膜能够“通过将互连电介质堆栈的有效k值降低10%以上”，从而加快信号传输速度。
另外，据Applied Materials公司高级副总裁兼薄膜事业部总经理Farhad Moghadam称，Producer系统的单晶圆构架具备的预清洗处理功能能够提高粘附力和可靠性，使电迁移阻抗比其他栅极技术高出30%。
Farh
ad Moghadam在一份声明中表示，对铜-低k电介质接口的控制能力对优化互连性能、确保封装后可靠性和成品率至关重要，而公司的Producer BLOk系统提供了新型的接口工程工艺，采用了专利的氧化铜去除步骤，是薄膜粘附性和电气可靠性均得到了提高。