美国IBM、美国AMD、索尼及东芝4家公司联合发表了面向使用
SOI（silicon on insulator）的45nm工艺CMOS的
金属栅极与
高介电率（high-k）
栅极绝缘膜技术。采用了
先加工栅极工艺（gate-first Process）。
目前已证实，通过在栅极长度为33nm的FET中导入金属栅极/high-k绝缘膜，能够抑制短沟道效应。栅极电极采用与超薄金属和多结晶Si的层积构造这一原有技术相近的构造。通过基于CMOS的特性评测，得到了带边附近的功函数。先加工栅极工艺存在的问题是，经过旨在使源漏区活性化的退火后，栅极电极的功函数向带隙中间值（mid gap）偏移。此次并未公布成功避免这一问题的具体方法。
各公司证实金属栅极与high-k在CMOS中的效果 此外，在“2007 Symposium on VLSI Technology”的最后一天，多项发表提出了优化金属栅极表观功函数的方法（Session 9A “Metal/FUSI Devices”和Session 11A “Metal Gat
e CMOS”）。由美国SEMATECH等组成的研究小组发表了在pMOS沟道中使用SiGe的方法以及在金属栅极（MoN）中添加Al的方法。韩国三星电子介绍了在栅极绝缘膜与多结晶Si之间插入超薄TaN的MIPS（metal inserted poly-Si stacks）技术。
这些技术以前均已作为工艺技术发表过，而此次证实在应用于CMOS时能够提高性能。由新加坡Silicon Nano Device Laboratory和新加坡国立大学组成的小组导入了新材料；作为适于nMOS的低工作常数的栅极电极材料，该小组提出了HfC。
只有英特尔对新技术的实用化充满信心 在会期后半程的普通演讲及Rump Session上，原本希望能够从宣布将使金属栅极与high-k绝缘膜实现实用化的英特尔和IBM获得一些技术信息，然而两公司并未公布能够指定材料及工艺的具体内容。
在Rump Session上，除英特尔和IBM外，东芝、NEC电子、三星及SEMATEC也参加了小组讨论。英特尔表示，将在2007年下半年开始应用导入金属栅极/high-k绝缘膜的工艺实施量产供货，预计2008年第3季度将占到供货量一半。而英特尔以外的LSI厂商则表示，目前基于老技术的产量较大，要想使导入金属栅极与high-k绝缘膜的产品占到半数以上，还需要很长一段时间。各公司均对开发面向内存及低泄漏版逻辑LSI的低成本金属栅极与high-k工艺技术的必要性进行了阐述。