设备公司供应商、材料公司和封装研究者共同参与以形成一个国际联盟，致力于TVS 3D互连的复杂集成。
IC技术发展的驱动力来源于对更高性能、更多功能、更小尺寸、更低功耗和成本的需求。为满足这些不断增长的需求，经济的新型小尺寸
3D封装技术应运而生。3D封装的主要优势包括：具有最小的尺寸和重量，将不同种类的技术集成到单个封装中，用短的垂直互连代替长的
2D互连，降低了寄生效应和功耗等。因此，3D封装能为未来技术带来性能、功能和波形因数等方面上的巨大好处。
目前有许多种基于堆叠方法的3D封装，主要包括：以芯片内功能层基础的、逐层内建连接的片上3D集成，由芯片到芯片（die-to-die）堆叠所形成的3D
叠层封装、或由封装到封装（package-to-package）堆叠（package-on-package或package-in-package）所形成的3D叠层封装，以及通过贯穿硅的
通孔技术（through-silicon vias，TSV）实现裸片到裸片互连的3D IC（IC的3D集成）等。在所有的3-D封装技术中，TSV能实现最短、最丰富的Z方向互连。
TSV技术的潜在优势包括：
■ 连线长度可以缩短到与芯片厚度相等，通过使逻辑模块垂直堆叠来代替水平分布，可以显著地缩短模块之间的平均互连线长度。
■ 可以实现高密度、高深宽比的连接，从而能够实现复杂的多片全硅系统集成，密度比当前用于先进多片模块的物理封装高出许多倍。
■ 通过用逻辑模块间的垂直互连代替长的水平互连，可以显著减小RC延迟。
现在和不久的将来，封装技术的发展趋势是从2D结构转到3D堆叠（引线、焊球和微通孔），然后转向使用TSV互连的3D IC，以减小硅片占用面积、提高硅利用率并缩短互连长度。引线键合受到密度和性能的限制，而倒装芯片技术无法广泛应用于芯片堆叠。因此在不久的将来，为实现封装的小型化和性能提升，将不可避免地会用到TSV技术。3D IC的主要目标器件和市场是闪存、图像传感器以及存储器与逻辑器件的异质堆叠，TSV很快（约在2008年）就会应用到闪存和图像传感器中，并实现量产。
使用TSV互连的3D芯片堆叠所需的关键技术包括：
■ 通孔的形成
■ 绝缘层、阻挡层和种子层的淀积
■ 铜的填充（电镀）、去除和再分布引线（RDL）电镀
■ 晶圆减薄
■ 晶圆/芯片对准、键合与切片
这些技术中的大多数对于封装产业来说都是相当新奇的，而且还要冒很大的风险进行巨额的投资。这就是目前3D芯片为何仍处于研发阶段的原因，即使对于那些最大的半导体公司也是如此。
TSV互连尚待解决的关键技术难题和挑战包括：
■ 通孔的刻蚀——激光vs. 深反应离子刻蚀（DRIE）
■ 通孔的填充——材料（多晶硅、铜、钨和高分子导体等）和技术（电镀、化学气相沉积、高分子涂布等）
■ 工艺流程——先通孔（via-first）或后通孔（via-last）技术
■ 堆叠形式——晶圆到晶圆、芯片到晶圆或芯片到芯片
■ 键合方式——直接Cu-Cu键合、粘接、直接熔合、焊接和混合等
■ 超薄晶圆的处理——是否使用载体
为尽可能降低失败或犯错的风险，那些正在或准备开发TSV技术的公司必须与设备、材料和研发方面的业界领先者通力合作。
2006年9月成立的新产业联盟EMC-3D，目的就是帮助封装产业解决技术难题并开发经济适用的封装技术。EMC-3D是一个半导体3D设备和材料联盟，将主要致力于解决将TSV技术用于芯片堆叠和先进MEMS/传感器封装中的3D互连时所出现的技术和经济难题。一些主流设备制造商和材料供应商已经组成联合攻关小组，以期找到经济适用的制造和集成解决方案。
创建EMC-3D联盟的设备公司成员包括：
■ Alcatel Micro Machining Systems通孔刻蚀
■ XSiL，激光钻孔和切片
■ Semitool，湿法工艺（通孔电镀、RDL电镀和晶圆减薄）
■ EV Group，晶圆/芯片对准和堆叠
合作研发成员包括：
■ Fraunhofer IZM（可靠性和微集成研究所，德国）
■ LETI （电子技术和信息实验室，法国）
■ SAIT （Samsung先进技术研究所，韩国）
■ KAIST （Korea 先进科技研究所，韩国）
■ TAMU （Texas A&M University, 美