在2月25日～3月2日于美国
加利福尼亚州圣诺塞市举办的“
SPIE Advanced Lithography 2007”上可以看到，面向32nm工艺、使用
高折射率液体的液浸曝光（高折射率液浸）工艺获得进展。旨在取代水的第2代液体处理工作有了眉目，从目前的情况来看，只要完成透镜材料LuAG（lutetium aluminum garnet）的
结晶处理，就能实现1.55的开口数（NA）。
透镜材料供应要等到2009年 德国肖特
光刻技术有限公司（SCHOTT Lithotec AG）目前正在从事LuAG结晶的开发工作，这是实现高折射率液浸处理的关键所在。开发工作正在按计划顺利进行。虽说发布透射率改善报告晚了一些，但该公司已经找到透射率下降的原因，有望使开发工作推向深入。透射率下降的主要原因一是原材料纯度，二是生成结晶时从坩埚中溶出了杂质。对于折射率的均匀性，目前已经达到既定目标。不过，通过对热像差的分析得知，透射率很不理想，只有过去的一半。该公司计划2009年开始供应LuAG结晶成品，而曝光
设备最早也要等到2010年才能亮相。
作为支持高折射率液浸处理的另一个可能的透镜材料BaLiF
3，日本德山已经成功地实现直径150mm的结晶。折射率和透射率预计都有改善。
曝光装置的光学设计目标基本确定 作为曝光设备制造商，荷兰ASML认为可通过改进现有设备来支持供LuAG结晶使用的光学设计。据介绍目前已经掌握了对结晶特有的真性双折射（IBR）进行补偿的手法。此外，该公司还公布了使用第2代液体的基础实验结果。该公司表示已经形成29nm图案，如能重复使用，液体的寿命将得到飞跃性提高。同时也指出了一个问题：由于液体表面张力小，因此无法直接使用现有的喷嘴。另外，如果长期使用，光学元件会受到污染。不过，后一个问题可利用紫外线（UV）臭氧来处理。
此外，佳能表示，只要从第2代液体中去除氧气，进行循环利用，就能确保与水相同的透射率。对于LuAG结晶则具体公布了IBR补偿值，目前基本上已经掌握与NA 1.55相适应的设计。