UIUC（University of Illinois at Urbana-Champaign，伊利诺大学香槟分校）的科学家们再次打破他们自己所保持的最快晶体管的世界纪录。他们最新制作的双极型晶体管的频率达到845GHz，比其它研究小组高出约300GHz，已经接近了太赫兹器件的目标。
他们的晶体管是由磷化铟（InP）和砷化铟镓（InGaAs）制成的。UIUC电气与计算机工程的教授Milton Feng介绍说：“这种新型晶体管在基区和集电区采用赝晶缓变层。组分缓变能提高电子的漂移速度，从而同时减小电流密度和充电时间。”
借助于这种最新的晶体管，Feng的研究小组将晶体管扩展到新的高速应用领域，太赫兹晶体管的“圣杯”已经触手可及。除了使用赝晶材料以外，研究人员还优化了制造流程以使晶体管的组件更小。比如，晶体管的基区宽度只有12.5 nm。
研究生William Snodgras于去年在美国旧金山举行的IEDM会议上介绍了这种新型器件：“通过将晶体管的纵向尺寸等比例缩小，电子必须渡越的距离缩短了，从而提高了晶体管的响应速度。因为集电区的横向尺寸也被缩小，所以晶体管能够更快
地充放电。”
该晶体管在室温（25℃）下的工作频率是765 GHz，而当环境温度降到-55℃时，频率增大到845 GHz。Feng、Snodgrass 和另一位研究生Walid Hafez（现在Intel公司工作）一起在UIUC的
微纳米技术实验室制作了这个高速器件。未来，除了继续提高晶体管的速度以外，Feng还希望能够将电流密度降得更低，从而降低结温并提高晶体管的可靠性。