些目前业界不常用的新型计量设备。光荧光（PLi）分析和微区分辨率小于50mm的弹性材料探针（Rs和Nsurf）微线扫描，已被用于为闪光灯与激光扫描退火进行局部微小变化的探测。采用PLi来探测每个独立的闪光灯信号，并将其关联到局部Rs和Nsurf的微小变化。这也可以从激光束扫描拼补信号中看到。要想消除这些局部加热信号的变化，必须开发设计新的闪光及激光设备以减小V
t的变化，满足45nm及以下节点的DFM要求。
高电流离子注入（xj = 9-12 nm）
假定使用闪光、激光或SPE退火技术得到的杂质扩散长度为3nm，那么就需要一个深度小于6nm的注入结。采用不同方法（浓度为5×1018/cm3的B与BF2束线注入或BF3 等离子体注入）来实现这种浅结所需要的注入能量如图3所示。在32nm节点，要获得期望的杂质激活水平（>1× 1020/cm3），这类浅结在注入与退火后的保留剂量是最重要的问题。由图4可见，使用BF2 或BF3 掺杂源，亚5nm结的最大保留剂量小于2× 1014/cm2；而退火后更降低到5×1013/cm2以下，这样就不可能实现1×1020/cm3的杂质
激活目标水平。用B可以实现这个保留剂量，但目前还没有关于B
10H
14和B
18H
22的数据。对于毫秒闪光退火，如果退火前的保留剂量是3× 10
14/cm
2，那么可实现的B
ss仅为5×10
19/cm
3；而6×10
14/cm
2的退火前保留剂量对应的Bss为 9×10
19/cm
9。所以，BF
3等离子体掺杂和BF
2束线掺杂都已经出局，而B
2H
6等离子体掺杂和B束线掺杂则仍然可用。使用B
10H
14和B
18H
22可以增强弱扩散激活，这一效应有可能满足32nm节点目标的需要。NEC 的Wakabayashi提出另一种可选方案，他们使用厚度为4nm的非掺杂的提升源/漏，从而有可能通过能量更高的离子注入来获得更高的保留剂量，实现在栅边缘下方的SDE结的受控等比例缩小。
结论
在65nm节点，DRAM双重多晶硅栅的形成将用到B18H22束线注入或等离子体注入（剂量在1016/cm2和1017/cm2之间）。逻辑器件将使用毫秒闪光或激光退火来增强栅多晶硅的杂质激活水平，同时Tinv会降低0.1-0.2nm。此外单晶圆高电流离子注入机将取代批处理离子注入机，图形密度的灯照加热敏感性有可能引起Vt的显著变化。而在45nm，能产生弱扩散激活的毫秒退火将用于形成超浅结，所以离子注入的精确度变得很关键；需要采用中电流注入机的等中心扫描工作方式，和单晶圆高电流注入机的倾斜多模式离子注入方式，来使它们独特的非均匀信号效应最小化。到了32nm，注入保留剂量会限制可接受的掺杂剂种类。能够检测（由离子注入导致的）微米尺度的局部微制程参数的变化，和以退火设备为基础的信号的计量工具正变得越来越关键。