卡西欧计算机在日前于日本第8届半导体
封装技术展展会上展出了支持300mm晶圆的晶圆级封装（
WLP）量产技术。该技术已于2006年夏季开始量产。
在
采用300mm晶圆制造的LSI中，布线部分的层间绝缘膜多采用低介电（low-k）膜。由于低介电膜一旦露出WLP端面就会吸取湿气，影响可靠性，因此新引进了去掉部分低介电膜的工序。具体来说，就是在采用WLP技术对晶圆
进行加工之前，用激光除去WLP端面的低介电膜。
为了展示低介电膜去除工艺的效果，卡西欧还公布了采用PCT（Pressure Cooker Test,压力锅实验）进行加速试验的结果。在省略了低介电膜去除工序条件下进行的晶圆级封装试验品，22个中有2个出现低介电膜剥落现象。而在追加了去除端面部分低介电膜工序后进行晶圆级封装时，22个试验品在外观上都没有出现异常。